Western Digital、1セルあたり4ビット記録可能なフラッシュメモリ開発

　米Western Digital（WD）が、1セル当たり4ビットの記録を実現したフラッシュメモリの開発に成功したと発表した。64層の3D NAND「BiCS3」向けの技術で、より高密度なデータ記録が可能となる。2018年中の量産が予定されているとのこと（PC Watch、EE Times Japan、日刊工業新聞）。

　現在商品化されている製品では1セルあたり最大3ビットの記録が主流だった。この技術を利用することで、性能の劣化無しに1チップあたり768ギガビットの記録を実現できるという。また、東芝がこの技術を利用した1.5TBの記録容量を持つ製品のサンプル出荷を行うそうだ。

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