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[写真]電力変換は次のステージへ。世界最高性能を達成したSiCパワーデバイス

2015年6月6日 18:16

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ロームが開発したトレンチ構造SiC-MOSFET。量産中のプレーナー型SiC-MOSFETに比べ、オン抵抗を約50%低減し、スイッチング性能の向上も実現。SiCパワーデバイスを次のステージに導く技術として期待が高まる。

ロームが開発したトレンチ構造SiC-MOSFET。量産中のプレーナー型SiC-MOSFETに比べ、オン抵抗を約50%低減し、スイッチング性能の向上も実現。SiCパワーデバイスを次のステージに導く技術として期待が高まる。

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※この記事はエコノミックニュースから提供を受けて配信しています。

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