東芝：産業用機器の高効率化に貢献する第3世代SiC（炭化ケイ素） MOSFETを発売

～1200Vおよび650V耐圧製品をラインアップ～

（川崎）-（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、パワー半導体の新製品として、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減した第3世代 SiC MOSFET^[注1][注2]を製品化しました。「TWxxxNxxxCシリーズ」10品種（1200V/650V耐圧）の出荷を本日から開始します。

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東芝：産業用機器の高効率化に貢献する第3世代SiC MOSFET「TWxxxNxxxCシリーズ」（画像：ビジネスワイヤ）

新製品は、単位面積あたりのオン抵抗RDS(ON)Aを約43%削減^[注3]しました。これにより、導通損失とスイッチング損失の関係を表す重要指標「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量RDS(ON)×Qgd」を約80%削減^[注4]し、スイッチング損失を約20％削減^[注5]しました。オン抵抗削減とスイッチング損失削減の両立を実現した当社第3世代 SiC MOSFETは、産業用機器のさらなる高効率化に貢献します。

今後も当社はパワー半導体製品の製品ラインアップの拡充と生産設備の増強を進め、ユーザーがより使いやすく、高性能なパワーデバイスを提供することで、脱炭素社会の実現を目指します。

[注1] 当社第2世代SiC MOSFETで開発したショットキーバリアダイオードを内蔵した構造を用いて、単位面積あたりのオン抵抗(RDS(ON)A)を削減、さらにJFETの帰還容量を小さくするデバイス構造を開発。
[注2] MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属酸化膜半導体電界効果トランジスター）の略で、トランジスターの構造の一種。
[注3] 当社第2世代SiC MOSFETのRDS(ON)Aを1とした場合の、今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。
[注4] 当社第2世代SiC MOSFETのRDS(ON)×Qgdを1とした場合の、今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。
[注5] 当社第2世代SiC MOSFETと今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。

応用機器
・スイッチング電源 (データセンターなどサーバー用、通信機器用など)
・EV充電スタンド
・太陽光発電用インバーター
・無停電電源装置 (UPS)

新製品の主な特長
・低い単位面積あたりのオン抵抗RDS(ON)A
・低いドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量RDS(ON)×Qgd
・低い順方向電圧 (ダイオード) : VDSF= －1.35V (typ.) @VGS= －5V

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25°C)

品番

パッケージ

絶対最大定格

電気的特性

在庫検索

＆

Web

少量購入

ドレイン･

ソース間

電圧

VDSS

(V)

ゲート･

ソース間

電圧

VGSS

(V)

ドレイン

電流

(DC)

ID

(A)

ドレイン・

ソース間

オン抵抗

RDS(ON)

typ.

(mΩ)

ゲート

しきい値

電圧

Vth

(V)

ゲート

入力

電荷量

Qg

typ.

(nC)

ゲート・

ドレイン間

電荷量

Qgd

typ.

(nC)

入力容量

Ciss

typ.

(pF)

順方向

電圧

(ダイオード)

VDSF

typ.

(V)

@Tc=25°C

@VGS=18V

@VDS=10V

@VDS=400V、

f=100kHz

@VGS= －5V

TW015N120C

TO-247

1200

－10～25

100

15

3.0～5.0

158

23

6000

－1.35

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TW030N120C

60

30

82

13

2925

Buy Online

TW045N120C

40

45

57

8.9

1969

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TW060N120C

36

60

46

7.8

1530

Buy Online

TW140N120C

20

140

24

4.2

691

Buy Online

TW015N65C

TO-247

650

－10～25

100

15

3.0～5.0

128

19

4850

－1.35

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TW027N65C

58

27

65

10

2288

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TW048N65C

40

48

41

6.2

1362

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TW083N65C

30

83

28

3.9

873

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TW107N65C

20

107

21

2.3

600

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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
1200V製品
TW015N120C
TW030N120C
TW045N120C
TW060N120C
TW140N120C

650V製品
TW015N65C
TW027N65C
TW048N65C
TW083N65C
TW107N65C

当社のSiC MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
SiC パワーデバイス
SiC MOSFET

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1200V製品
TW015N120C
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TW030N120C
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TW045N120C
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TW060N120C
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TW140N120C
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650V製品
TW015N65C
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TW027N65C
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TW048N65C
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TW083N65C
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TW107N65C
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お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
お問い合わせ先報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

プレスリリース情報提供元：ビジネスワイヤ