トランスフォームが業界標準のTO-263(D2PAK)を当社の表面実装パッケージ製品に追加し、SuperGaNプラットフォームの利点を拡大

プレスリリース発表元企業:Transphorm, Inc.

配信日時: 2022-07-15 15:23:00

トランスフォームが業界標準のTO-263(D2PAK)を当社の表面実装パッケージ製品に追加し、SuperGaNプラットフォームの利点を拡大

新しい50 mOhm SuperGaN FETにより、データセンターと広範な産業アプリケーションのためのGaNベース高出力システムの開発を簡素化・迅速化

(米カリフォルニア州ゴリータ)-(ビジネスワイヤ) -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム(GaN)電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム(Nasdaq:TGAN)は本日、表面実装パッケージ製品を拡張し、TP65H050G4BSを追加したと発表しました。この新しい高出力表面実装デバイス(SMD)は、TO-263(D2PAK)に収めた650VのSuperGaN® FETであり、標準オン抵抗は50ミリオームとなっています。トランスフォームの7番目のSMDとなり、低~中電力アプリケーション向けに現在提供している幅広いPQFNデバイスに追加されます。

JEDECに準拠したTP65H050G4BSは、データセンターや広範な産業アプリケーションで一般的に使用される高電力(1~数キロワット)システムを開発する設計者やメーカーに幾つかの利点を提供します。トランスフォームのクラス最高の信頼性、ゲート堅牢性(±20 Vmax)、シリコンノイズ耐性閾値(4V)、そして当社のGaN技術と同義である設計の容易さとドライバビリティーを提供します。エンジニアは、高出力と表面実装パッケージの両条件が必要な場合にD2PAKを使用して、PQFNタイプのパッケージと比較して優れた熱特性を実現しながら、単一の製造フローを使用することでPCBの組み立て効率を向上させることができます。

D2PAKはディスクリートデバイスとして提供されますが、トランスフォームのTDTTP2500B066B-KIT(2.5kW AC-DCブリッジレストーテムポール力率改善(PFC)評価ボード)の電力密度を高めるために垂直ドーターカードに搭載することも可能です。また、1.2kWの同期式ハーフブリッジTDHBG1200DC100-KIT評価ボードにスワップして、数キロワットの電力を駆動することも可能です

トランスフォームの世界マーケティング/アプリケーション/ビジネス開発担当シニアバイスプレジデントを務めるフィリップ・ズクは、次のように述べています。「D2PAKは、当社のポートフォリオに加わる重要な製品です。これにより、当社がこれまでスルーホールデバイスで対応していた高出力アプリケーションに、当社のSMDの有用性が拡大します。使い慣れたTO-XXXパッケージは設計上の課題を排除し、システム開発を簡素化し、市場投入を迅速化するものであり、今回の拡大はお客さまが当社のGaNプラットフォームの利点をTO-XXXパッケージで活用できるよう支援する上で、新たな前進となります。」

トランスフォームは現在、標準的なTO-XXXパッケージで高電圧GaNデバイスを提供している唯一のGaNサプライヤーです。なお、これらのパッケージは、代替e-mode GaN技術が損傷に対して特有のゲート感度を持っていることから、この技術と共には使用することができません。

提供について

上記のデバイスと評価ボードは、下記のリンクを通じ、ディジ・キーとマウザーで提供しています。

TP65H050G4BS FET:ディジ・キー / マウザー2.5 kW評価ボード(TDTTP2500B066B-KIT):ディジ・キー / マウザー1.2 kW 評価ボード (TDHBG1200DC100-KIT):ディジ・キー / マウザートランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC/AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター(@transphormusa)とウィーチャット(Transphorm_GaN)で当社をフォローしてください。

SuperGaNマークはトランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて各所有者に帰属します。

本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。



businesswire.comでソースバージョンを見る:https://www.businesswire.com/news/home/20220713005164/ja/

連絡先
Press Contact:
Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

プレスリリース情報提供元:ビジネスワイヤ