東芝:実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品5品種発売について

プレスリリース発表元企業:Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

配信日時: 2022-06-07 11:00:00

東芝:実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品5品種発売について

~外付けバック・トゥ・バックMOSFETに対応したTCK42xGシリーズ~

(川崎)-(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、ウエアラブル端末などの携帯機器向けに、入力電圧に応じて外付けMOSFETのゲート電圧をコントロールする、過電圧防止機能を持ったMOSFETゲートドライバーIC「TCK42xGシリーズ」に5品種のラインアップを追加しました。
すでに発売済の20V電源ライン用「TCK421G」に加え、24V電源ライン用「TCK420G」、12V電源ライン用「TCK422G」および「TCK423G」、9V電源ライン用「TCK424G」、5V電源ライン用「TCK425G」の販売を本日より開始します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。:https://www.businesswire.com/news/home/20220530005066/ja/

東芝:実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーIC「TCK42xGシリーズ」 (画像:ビジネスワイヤ)東芝:実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーIC「TCK42xGシリーズ」 (画像:ビジネスワイヤ)

TCK42xGシリーズは、新製品のラインアップ追加により、ゲート・ソース間電圧を10Vと5.6Vの2種類から選択可能となり、より多くのMOSFETに対応できるようになりました。また、入力過電圧保護機能の検出電圧が異なる製品のラインアップにより5Vの電源ラインから24Vの電源ラインに使用できます。外付けバック・トゥ・バックMOSFETと組み合わせて、逆流防止機能を備えたロードスイッチ回路 (Fig.1) やパワーマルチプレクサー回路 (Fig.2)を構成するのに適しています。2.7Vから28Vの幅広い入力電圧に応じたチャージポンプ回路を内蔵し、間欠動作で外付けバック・トゥ・バックMOSFETのゲート・ソース間に安定電圧を供給します。これにより、大きな電流のスイッチングが可能です。

パッケージは、業界最小クラス[注1]のWCSP6G[注2]を採用し、ウエアラブル端末、スマートフォンなどの小型機器に高密度実装が可能で、実装面積の削減に貢献します。

なお、TCK42xGの機能を活用した“パワーマルチプレクサー回路のリファレンスデザイン”の公開を本日より開始しました。

[注1] MOSFETゲートドライバーICにおいて。2022年6月現在、当社調べ。
[注2] 1.2mm x 0.8mmのチップスケールパッケージ

応用機器

ウエアラブル端末スマートフォンノートブックPC、タブレットデバイスストレージ機器など新製品の主な特長

チャージポンプ回路を内蔵し入力電圧に応じたゲート・ソース電圧設定 (5.6V、10V)過電圧保護は5V~24Vに対応低入力オフ電流 : IQ(OFF)=0.5μA (max) @VIN=5V新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

TCK420G

TCK421G

[注3]

TCK422G

TCK423G

TCK424G

TCK425G

パッケージ

名称

WCSP6G

サイズ (mm)

1.2×0.8 (typ.)、t=0.35 (max)

動作

範囲

入力動作電圧

VIN_opr (V)

@Ta= -40

~85°C

2.7~28

電気的

特性

入力低電圧誤動作防止(UVLO) しきい値電圧 VOUT下降時

VIN_UVLO

typ./max (V)

@Ta= -40

~85°C

2.0/2.5

入力過電圧検出 (OVLO)

しきい値電圧VOUT下降時

VIN_OVLO

min/max (V)

@Ta= -40

~85°C

26.50

/28.50

22.34

/24.05

13.61

/14.91

10.35

/11.47

5.76

/6.87

スタンバイ電流 (オフ状態)

IQ(OFF) max (μA)

@VIN=5V、

Ta= -40

~85°C

0.5

ゲートドライブ電圧

(VGATE1-VIN)

(VGATE2-VOUT)

VGS typ. (V)

@VIN=

12V/20V

10/10

10/10

10/-

5.6/-

-/-

-/-

ゲートドライブ電圧

(VGATE1-VIN)

(VGATE2-VOUT)

VGS typ. (V)

@VIN=

5V/9V

10/10

10/10

10/10

5.6/5.6

5.6/5.6

5.6/-

VGSオン時間

tON typ. (ms)

@VIN=5V、

CGATE1,2=

4000pF

2.9

VGSオフ時間

tOFF typ. (μs)

@VIN=5V、

CGATE1,2=

4000pF

52

23

入力過電圧検出 (OVLO)

VGSオフ時間

tOVP typ. (μs)

@CGATE1,2=

4000pF

31

34

41

16

18

19

在庫検索 & Web少量購入

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[注3] 先行リリース製品

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TCK420G
TCK422G
TCK423G
TCK424G
TCK425G

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
TCK420G
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TCK420G.html

TCK422G
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TCK422G.html

TCK423G
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TCK423G.html

TCK424G
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TCK424G.html

TCK425G
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TCK425G.html

* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
* 本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。



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連絡先
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
小信号デバイス営業推進部
Tel: 044-548-2215
お問い合わせ報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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