[写真]超強磁場でも維持される、2次元超伝導状態を発見―東大・岩佐義宏氏ら

2015年12月15日 19:15

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MoS2薄膜をトランジスタのチャネルに用いた電気二重層トランジスタ(EDLT)のデバイス構造。今回の研究で用いたMoS2薄膜の厚さは約20ナノメートル(nm)。正の電圧を加えることでMoS2の表面(原子層1層分の厚さ)にのみ電子が蓄積する。(東京大学などの発表資料より)

MoS2薄膜をトランジスタのチャネルに用いた電気二重層トランジスタ(EDLT)のデバイス構造。今回の研究で用いたMoS2薄膜の厚さは約20ナノメートル(nm)。正の電圧を加えることでMoS2の表面(原子層1層分の厚さ)にのみ電子が蓄積する。(東京大学などの発表資料より)

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