東芝：機器の小型化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

～最新世代プロセスを採用し、低オン抵抗と安全動作領域の拡大を実現～

（川崎）- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用電源ラインのスイッチング回路、ホットスワップ回路^[注1]など向けに、最新世代プロセス「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ)」を採用した、100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH3R10AQM」を製品化し、本日から出荷を開始します。

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東芝：最新世代プロセス「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ)」を採用した、100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH3R10AQM」（画像：ビジネスワイヤ）

新製品は、ドレイン･ソース間オン抵抗を業界トップクラス^[注2]の最大3.1mΩ(VGS=10V)に抑え、従来品の100V耐圧製品「TPH3R70APL」と比べて、約16%低減^[注2]しました。また、最新世代プロセス採用により、従来品に対して安全動作領域を76%^[注3]拡大し、過渡動作領域での使用にも適しています。オン抵抗の低減と過渡動作領域での動作範囲を拡大することで、並列接続する員数を減らすことができます。さらに、ゲートしきい値電圧範囲を2.5～3.5Vに設定しており、ゲート電圧のノイズによる誤動作を起こりにくくしています。
パッケージは、フットプリントの互換性が高いSOP Advance(N)を採用しました。

当社は今後も、システムの高効率や、信頼性の向上、安定稼働に貢献するパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進します。

応用機器

データセンターや通信基地局などの産業機器用電源高効率DC-DCコンバーターなどのスイッチング電源新製品の主な特長

業界トップクラス^[注2]の低オン抵抗 : RDS(ON)=3.1mΩ (max) (VGS=10V)安全動作領域が広いチャネル温度定格が高い : Tch (max)=175 °C[注1] 機器が稼働した状態での回路基板やケーブルの抜き挿し(ホットスワップ)に対応した回路
[注2] 2023年６月現在、当社調べ。
[注3] パルス幅tw=10ms、VDS=48V

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

TPH3R10AQM

絶対最大定格

ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)

100

ドレイン電流 (DC) ID (A)

Tc=25°C

120

チャネル温度 Tch (°C)

175

電気的特性

ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)

max (mΩ)

VGS=10V

3.1

VGS=6V

6.0

ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC)

83

ゲートスイッチ電荷量 Qsw typ. (nC)

32

出力電荷量 Qoss typ. (nC)

88

入力容量 Ciss typ. (pF)

5180

パッケージ

名称

SOP Advance(N)

サイズ typ. (mm)

4.9×6.1

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