トランスフォームとウェルトレンド・セミコンダクターが統合型GaNシステムインパッケージのリリースで提携

このシステムインパッケージ（SiP）は、USB-C PD対応アダプターやその他の低消費電力アプリケーション向けに、コンパクトでコスト効率に優れ、市場投入を早めるソリューションを実現トランスフォームは、2023年アプライド・パワー・エレクトロニクス・カンファレンスの853番ブースで展示へ

（カリフォルニア州ゴリータ & 台湾・新竹）-（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）と、USB Power Delivery（PD）対応アダプターコントローラー集積回路（IC）の世界的リーダー企業であるウェルトレンド・セミコンダクター（TWSE：2436）は本日、初のGaNシステムインパッケージ（SiP）をリリースしたと発表しました。

WT7162RHUG24Aは、スマートフォン、タブレット、ノートパソコン、その他のスマートデバイスを充電する45～100ワットのUSB-C PD電源アダプターでの使用向けに設計された集積回路であり、93%以上のピーク電力効率を実現します。デバイスのサンプルは、2023年第2四半期に提供可能となる予定です。

今回の発表は、新製品の市場投入に加え、ウェルトレンドのもう1つの大きな実績を示すものとなります。この新しいGaN SiPは、トランスフォームのSuperGaN®技術を使用した完全なシステムソリューションを提供することで、AC-DC電源市場に対するウェルトレンドのコミットメントを表明するものです。トランスフォームにとっても、当社製GaNデバイスの扱いやすいインターフェースと優れた性能を証明するための重要な事例がまた増えました。

トランスフォームは、2023年アプライド・パワー・エレクトロニクス・カンファレンス（APEC）の853番ブースで、ウェルトレンド 製SiPを初めて展示します。また両社は、関連する65W USB PD電源アダプター評価ボードであるWTDB_008の詳細もイベント期間中に公開する予定です。

ウェルトレンドのトニー・リン社長は、次のように述べています。「WT7162RHUG24Aは、トランスフォーム製GaNを使用したSiPとして業界で初めて公表されました。これにより、必要な部品点数が削減され、より小型のプリント基板を使用できるなどの利点があることから、メーカーはより安価なシステムソリューションを開発することができます。また、システム開発期間も短縮されます。私たちは、アダプターメーカーにとっての設計上の障壁を効果的に取り除こうとしているのです。また、この製品により、ウェルトレンドは新たな市場へ進出することができます。本製品は、当社のPWMコントローラーにとって初のSiPであり、大量生産の成長分野をサポートするという当社のコミットメントを実証するものです。また、GaN FETの搭載により、結果としての性能のレベルアップを実現しています。これは、ウェルトレンド、トランスフォーム、そして私たち共通のお客さまにとっての勝利なのです。」

トランスフォームの社長兼最高執行責任者（COO）であるプリミット・パリクは、次のように述べています。「今日、急速充電用アダプター市場はGaN採用にとっての急成長分野です。私たちは市場シェアを拡大しており、直近では今回のGaN SiPのように、当社のGaNデバイスをより使いやすくするための革新を続けています。私たちは、業界をリードする当社のSuperGaNプラットフォームと、ウェルトレンドの革新的なアダプターパワーコントローラー技術を統合できることを大変うれしく思います。ウェルトレンドは、有力な電力変換プラットフォームを実現しましたが、これはアダプターや急速充電器の顧客にとって簡単に使用できるソリューションを生み出すものであり、両社はこれを市場での勝利を加速させるために使用できるのです。」

WT7162RHUG24Aの仕様と機能

この新しいSiPは、ウェルトレンドのWT7162RHSG08マルチモード・フライバックPWMコントローラーとトランスフォームの240ミリオーム、650ボルトのSuperGaN® FETを統合しています。この表面実装デバイスは、24ピン8x8 QFNパッケージで提供され、プリント基板サイズを縮小しています。その他の主な仕様は次の通りです。

ピーク電力効率: > 93％電力密度: 26 W/in³幅広い出力電圧で動作: USB-C PD 3.0およびPPS 3.3V〜21V最大周波数：180kHzターゲット・トポロジー：QRモード／バレースイッチングマルチモードによるフライバック動作注目すべき機能は次の通りです。

特性

利点

GaN FETのターンオン／オフ速度を調整可能

EMI試験やソリューション運用の自由度が向上

外付けVDDリニアレギュレーター回路が不要

部品点数の削減

パッケージの寄生素子（インダクタンス、抵抗、キャパシタンス）の低減

チップ性能の最大化

700V 超高圧始動電流をAC主電圧のライン／ニュートラルから直接引き出し可能

部品点数の削減

PWMチップを追加しても8x8 QFNパッケージに収容可能

低背化／システムフットプリントの縮小が可能

対象アプリケーションと提供について

WT7162RHUG24A SiPは、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、ヘッドホン、ドローン、スピーカー、カメラなどのモバイル/IoTデバイス向けの高性能薄型USB-C電源アダプターでの使用に最適化されています。

このデバイスのサンプル出荷に関しては、最新の提供状況についてsales@weltrend.com.twまでお問い合わせください。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。

ウェルトレンド・セミコンダクターについて

1989年に「台湾のシリコンバレー」としての新竹サイエンスパークに設立されたウェルトレンド・セミコンダクター（TWSE：2436）は有力なファブレス半導体企業として、電源、モーター制御、画像処理など複数のアプリケーションにおけるミックスドシグナル／デジタルIC製品の企画、設計、試験、アプリケーション開発、販売を専門としています。詳細情報については、www.weltrend.comをご覧ください。

SuperGaNマークは、トランスフォームの登録商標です。その他すべての商標は、それぞれの所有者に帰属します。

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