米IBM、世界初の2nm製造プロセス用いた半導体製造技術を発表

2021年5月12日 17:51

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記事提供元:スラド

米IBMは5月6日、世界で初めて300mmウェーハ上において2nmプロセスチップを生み出したと発表した。同社のナノシート技術を使用することにより、ブレークスルーを達成したという。現時点の最先端プロセスとなる7nmノードチップと比較しても、約45%の性能向上、あるいは同じ性能レベルでの約75%の電力削減を達成可能になるとしている。スマートフォンのバッテリー寿命の延長やデータセンターの二酸化炭素排出量を削減などにつながる可能性があるとしている(IBMリリース公式動画ZDnetPC Watch)。 

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