東芝、韓国ハイニックスとMRAMを共同開発

　東芝は13日、韓国ハイニックスとMRAM（磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリ）を共同開発することで合意したと発表した。ハイニックス社の研究施設に両社の技術者を集め、共同開発を行う計画。

　MRAMは、低消費電力で書き込み速度が高速という特長を持つ不揮発性メモリ。東芝が半導体事業の主力としているNAND型フラッシュメモリと組み合わせることで、新たなアプリケーションの創出が期待できるという。

　ハイニックスとの共同開発では、開発コストの負担を抑制しながらMRAMの実用化に向けた取り組みの加速と早期の実用化を目指す。ハイニックスとは今後の開発動向を確認しながら、将来的な製造での協業についても協議していく予定という。

　米調査会社アイサプライ（iSuppli）によると、2011年1-3月期のNAND型フラッシュメモリ市場におけるシェアは、東芝が35.6%で2位。シェア35.9%で1位の韓国サムスン電子に肉薄している。ハイニックスはシェア10.6%で第4位。