エルピーダ、25nmプロセスのDRAMを開発：7月から量産

2011年5月2日 13:18

エルピーダメモリが公開した25nmプロセス採用のDRAM製品のイメージ写真

エルピーダメモリが公開した25nmプロセス採用のDRAM製品のイメージ写真[写真拡大]

　エルピーダメモリは2日、25nmプロセスを採用したDRAMを開発したと発表した。1枚のウエハーから取得できるチップ数は現行の30nmプロセス製品と比べて30%増加する。

　同社が今回開発したのは、2GビットのDDR3 SDRAM。既存の30nmプロセス製品と比べて、1ビットのセル面積は30%縮小でき、消費電力は15～20%低減したという。製品のサンプル出荷と量産開始は7月を予定する。

　年末までには25nmプロセスを採用した4Gビット品の量産も予定する。同製品では、1枚のウエハーから取得できるチップ数が現行の30nmプロセス製品と比較して44%増加すると見込んでいる。