トランスフォーム第3世代GaNパワー半導体をリリース、ノイズ耐性の向上・スイッチングノイズを改善

GaNパワーFET初めての閾値４V、実績がある電源開発の新アプローチ

（カリフォルニア、ゴリータ）- （ビジネスワイヤ） -- Transpform Inc. （以下、トランスフォーム）はGaNパワー半導体をリードしつつ、世界で初めてJEDECやAEC-Q101に準拠した製品を出荷している、品質重視の設計・製造メーカです。本日、650V GaN FETの第３世代品を発表致します。本製品はEMIが小さく、高いゲートノイズ耐性を持ち、より柔軟な設計が可能となります。

前世代を通じてお客様の製品設計をサポートすることで培った経験・知識を元に、改良した第3世代品を開発しました。今回リリースする製品は、オン抵抗50mΩ品であるTP65H050WSと、35mΩのTP65H035WSで、共にTO-247標準パッケージで提供致します。

豊富な市場経験に基づく製品開発

トランスフォームはGaN半導体サプライヤーの中で唯一、コアとなる設計・製造能力を自社で保有し、前世代を通じてお客様サポート等で蓄積した品質・信頼性・性能への要求、アプリケーションの知識・経験を、今回リリースする第3世代品に活用しました。また、設計の簡便化、安全性の向上、電源システムの性能向上に役立つ開発ノウハウも同時に提供致します。

本第3世代品により、GaN技術自体が持つ高速スイッチング化・高効率化に加え、高性能FETによる新しい設計手法が実現できるようになります。また、最適設計、製造技術の改善により価格競争力の向上を実現しています。

第3世代品の技術的メリットとして、

ノイズ耐性が改善できる閾値電圧UP（2.1V→4.0V、ゲート駆動回路の簡素化） ゲート電圧最大定格の改善：±20V（第2世代品比較、11%向上） 高電流レベルでも、簡易な外付け回路にて、より最適なスイッチング動作を実現します。

トランスフォームは発振対策の最適ソリューションをウェブ上にて提供しています。（ご参照：app note 0009: Recommended External Circuitry for Transphorm GaN FETs） 例えば、DC-Link RCスナバーやスイッチング端子RCスナバ―回路など、効率に影響しない最適推奨回路を提供しています。これは、Half-BridgeやBridgeless Totem-Pole PFCトポロジーでも有効です。

テクニカル・マーケティング、ヴァイスプレジデントのPhilip Zuk曰く、“お客様の声を反映したGaN技術の向上は非常に大切です。我々の第3世代品は、本考えに基づいて開発されたものです。”

また、エンジニアリング、シニア・ヴァイスプレジデントのDr. Yifeng Wu曰く、“我々は信頼性の高い、コストメリットのある、高耐圧GaN FETを提供します。これは、お客様にとって、容易に活用できる、より付加価値の高い新しいパワー半導体になると確信しています。”

第3世代 650V製品 詳細

ステータス：出荷開始

TP65H050WS 50 mΩ TO-247 参考単価: 8.86 USD (1000個) TP65H035WS 35 mΩ TO-247 参考単価: 11.55 USD (1000個) 最適出力レンジ: 1.5 kW ~ 5.0 kW （アプリケーション、デザイン依存性あり）

想定マーケット:

幅広い産業用電源 データーセンター 商業用電源 再生化エネルギー 提供する設計環境:

データシート 評価キット SPICE モデル 品質ホワイトペーパー “GaN革命へようこそ”（トランスフォーム標語）

トランスフォームは高耐圧電源アプリケーション用に、高性能、高信頼のGaNパワー半導体を設計・製造・販売する会社です。世界で申請中のものを含めるとGaN IPパテントを1000以上保有しています。また、GaNパワー半導体で世界初、JEDECやAEC-Q101を取得した製品を提供しています。これは、素材、素子設計、製造、パッケージ、回路設計、アプリケーションサポートなどトランスフォームの保有する技術力を集結して実現しています。
シリコンの限界を超えた世界へようこそ。
参照Web: Website: transphormusa.com Twitter: @transphormusa





businesswire.comでソースバージョンを見る：https://www.businesswire.com/news/home/20180604005409/ja/

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