東芝：スイッチング損失を低減する4端子パッケージ採用の産業用機器向け第3世代シリコンカーバイド(SiC) MOSFET発売について

東芝：スイッチング損失を低減する4端子パッケージ採用の産業用機器向け第3世代シリコンカーバイド(SiC) MOSFET発売について

（川崎）- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業用機器向けに、スイッチング損失を低減する4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージに当社最新^[注1]の第3世代シリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載したSiC MOSFET「TWxxxZxxxCシリーズ」を発売しました。10品種(650V耐圧製品5品種、1200V耐圧製品5品種)の出荷を本日から開始します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。：https://www.businesswire.com/news/home/20230830350333/ja/

東芝：スイッチング損失を低減する4端子パッケージ採用の産業用機器向け第3世代SiC MOSFET （画像：ビジネスワイヤ）

新製品は、当社SiC MOSFETで初の4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージを採用しています。4端子のため、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続することができます。パッケージ内部にあるソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減することができ、高速スイッチング性能を向上しました。新製品TW045Z120Cの場合、3端子タイプTO-247パッケージの当社既存製品TW045N120Cと比べて、ターンオン損失を約40％、ターンオフ損失を約34％低減^[注2]しました。これにより、機器の電力損失の低減に貢献します。

なお、新製品を活用した「SiC MOSFET応用3相インバーター」のリファレンスデザインを開発し、本日当社ウェブサイトに公開しました。

当社は、今後も市場動向に合わせてラインアップを拡充し、機器の電力の⾼効率化と大容量化に貢献します。

[注1] 2023年8月現在。
[注2] 2023年8月現在、当社実測値。(測定条件 : VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25°C)

応用機器

スイッチング電源 (データセンターなどのサーバー、通信機器など)EV充電スタンド太陽光発電用インバーター無停電電源装置 (UPS)新製品の主な特長

4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージを採用 :
ゲートドライブ用信号ソース端子のケルビン接続でスイッチング損失を低減第3世代SiC MOSFETドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量が低い順方向電圧 (ダイオード) が低い : VDSF=－1.35V (typ.) (VGS=－5V)新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

パッケージ

絶対最大定格

電気的特性

在庫検索

＆

Web少量購入

ドレイン・

ソース間

電圧

VDSS

(V)

ゲート・

ソース間

電圧

VGSS

(V)

ドレイン

電流

(DC)

ID

(A)

ドレイン・

ソース間

オン抵抗

RDS(ON)

(mΩ)

ゲート

しきい値

電圧

Vth

(V)

ゲート

入力

電荷量

Qg

(nC)

ゲート・

ドレイン間

電荷量

Qgd

(nC)

入力容量

Ciss

(pF)

順方向電圧

(ダイオード)

VDSF

(V)

Tc=25°C

VGS=18V

VDS=10V

VGS=18V

VGS=18V

typ.

測定条件

VDS

(V)

VGS=－5V

typ.

typ.

typ.

typ.

TW015Z120C

TO-247-4L(X)

1200

－10～25

100

15

3.0～5.0

158

23

6000

800

－1.35

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TW030Z120C

60

30

82

13

2925

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TW045Z120C

40

45

57

8.9

1969

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TW060Z120C

36

60

46

7.8

1530

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TW140Z120C

20

140

24

4.2

691

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TW015Z65C

650

100

15

128

19

4850

400

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TW027Z65C

58

27

65

10

2288

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TW048Z65C

40

48

41

6.2

1362

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TW083Z65C

30

83

28

3.9

873

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TW107Z65C

20

107

21

2.3

600

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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TW015Z120C
TW030Z120C
TW045Z120C
TW060Z120C
TW140Z120C
TW015Z65C
TW027Z65C
TW048Z65C
TW083Z65C
TW107Z65C

当社のMOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
MOSFET

各種アプリケーションへの応用例は下記ページをご覧ください。
サーバー
無停電電源装置
LED照明

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記ページをご覧ください。
TW015Z120C
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TW030Z120C
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TW045Z120C
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TW060Z120C
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TW140Z120C
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TW015Z65C
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TW027Z65C
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TW048Z65C
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TW083Z65C
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TW107Z65C
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お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
お問い合わせ報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

プレスリリース情報提供元：ビジネスワイヤ