東芝：急速充電に適した小型・薄型の超低オン抵抗コモンドレインMOSFET発売について

東芝：急速充電に適した小型・薄型の超低オン抵抗コモンドレインMOSFET発売について

（川崎）-（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、モバイル機器などのリチウムイオン (Li-ion) 電池パックに使用するバッテリー保護回路向けに、コモンドレイン接続12V耐圧、電流定格20AのNチャネルMOSFET「SSM14N956L」を製品化し、本日から出荷を開始します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。：https://www.businesswire.com/news/home/20230517005372/ja/

東芝：小型・薄型の超低オン抵抗コモンドレインMOSFET「SSM14N956L」 （画像：ビジネスワイヤ）

近年、Li-ion電池パックには、充放電時の発熱の低減や、安全性を高めるため、堅牢性の高い保護回路が採用されています。また、保護回路には低電力損失と高密度実装が必要となっており、MOSFETにおいては低いオン抵抗と小型・薄型サイズが求められます。

新製品は、先行リリースした既存製品SSM10N954Lと同じ当社微細プロセスを採用しました。これにより、業界トップクラス^[注１]の低オン抵抗特性による低電力損失と、低いゲート・ソース間漏れ電流特性による低待機電力化の両立が可能となり、バッテリーの長時間動作に貢献します。
また、小型・薄型の新パッケージ TCSPED-302701 (2.74mm x 3.0mm、t=0.085mm (typ.)) を採用し保護回路の高密度実装に貢献します。

当社は今後も、Li-ion電池パック搭載機器の保護回路向けにMOSFET製品の開発を進めていきます。

応用機器

Li-ion電池パック搭載の民生/個人用機器
(スマートフォン、タブレットデバイス、パワーバンク、ウエアラブル端末、ゲーム機、電動歯ブラシ、デジタルコンパクトカメラ、デジタル一眼レフカメラなど)新製品の主な特長

業界トップクラス^[注１]の低オン抵抗 : RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V業界トップクラス^[注１]の低ゲート・ソース間漏れ電流: IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V小型・薄型のTCSPED-302701パッケージ : 2.74mm x 3.0mm、t=0.085mm (typ.)バッテリー保護回路で使用しやすいコモンドレイン構造[注1] 同定格の製品において。2023年5月現在、当社調べ。

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

SSM14N956L

SSM10N954L^[注２]

構造

Nチャネル

コモンドレイン

絶対最大定格

ソース・ソース間電圧 VSSS (V)

12

ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)

±8

ソース電流 (DC) IS (A)

20.0

13.5

電気的特性

ゲート・ソース間漏れ電流 IGSS

max (μA)

@VGS＝ ±8V

±1

ソース･ソース間オン抵抗 RSS(ON)

typ. (mΩ)

@VGS＝4.5V

1.00

2.1

@VGS＝3.8V

1.10

2.2

@VGS＝3.1V

1.25

2.4

@VGS＝2.5V

1.60

3.1

パッケージ

名称

TCSPED-302701

TCSPAC-153001

寸法 typ. (mm)

2.74x3、

t=0.085

1.49x2.98、

t=0.11

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[注2] 先行リリース製品

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
SSM14N956L

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SSM14N956L
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小信号デバイス営業推進部
044-548-2215
お問い合わせ報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

プレスリリース情報提供元：ビジネスワイヤ