東芝:高放熱の新パッケージ採用により機器の大電流化に対応した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について
配信日時: 2023-01-31 11:00:00
東芝:高放熱の新パッケージ採用により機器の大電流化に対応した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について
(川崎)-(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、高放熱の新パッケージL-TOGL™(Large Transistor Outline Gull-wing Leads)を採用し、高ドレイン電流定格を実現した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET「XPQR3004PB」、「XPQ1R004PB」の2製品を製品化し、本日より量産出荷を開始しました。
本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。:https://www.businesswire.com/news/home/20230130005237/ja/
東芝:高放熱の新パッケージ採用により機器の大電流化に対応した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET (画像:ビジネスワイヤ)
近年、車載機器はEV化が進み、機器の消費電力が増大しています。車載機器に使用される部品は、これに対応するために低損失・高放熱といった製品特性が求められています。
新製品は、大電流化・低抵抗・高放熱に適した新パッケージL-TOGLTMを採用しました。Cuクリップを用いてチップからアウターリードまでを一体化し、製品内部のポスト[注1]をなくしたポストレス構造のパッケージとなっています。さらに、多ピン構造のソースリードを採用し、パッケージ抵抗を既存パッケージTO-220SM(W)と比べて約70%低減しました。XPQR3004PBの場合は、ドレイン電流(DC)定格を既存製品[注2]と比べて1.6倍の400Aに拡張しました。また、厚みのあるCuフレームを採用することで、同XPQR3004PBは既存製品[注2]と比べてチャネル・ケース間過渡熱インピーダンスを50%低減し、機器の大電流化や低損失化に貢献します。
新製品は新規パッケージ技術により、大電流動作が求められるISG[注3]などのインバーターや半導体リレーの用途で、放熱設計の簡易化とMOSFETの員数削減による機器の小型化に貢献します。
また、更なる大電流動作を必要とする用途では、MOSFETの並列接続使用が想定されます。新製品はゲートしきい値電圧のグルーピング納品[注4]に対応しているため、特性差の少ない製品グループで設計が可能です。
車載機器は、さまざまな温度環境で使用されるため、基板実装はんだの接合信頼性が重要視されます。新製品は、実装応力を緩和するガルウィングタイプのリードを採用し、基板実装はんだの接合信頼性向上に貢献します。
[注1] はんだ接続部
[注2] 既存製品:TO-220SM(W)パッケージ製品「TKR74F04PB」と比較
[注3] Integrated Starter Generator
[注4] ゲートしきい値電圧を0.4V幅としたリールごとのグルーピング納品が可能です。ただし、特定グループの指定は受け付けていません。詳しくは、当社営業担当へお問い合わせください。
■応用機器
車載機器(インバーター、半導体リレー、ロードスイッチ、モータードライブなど)■新製品の主な特長
新パッケージL-TOGLTMを採用高ドレイン電流(DC)定格:
XPQR3004PB:ID=400A
XPQ1R004PB:ID=200AAEC-Q101適合低オン抵抗:
XPQR3004PB:RDS(ON)=0.23mΩ (typ.) (VGS=10V)
XPQ1R004PB:RDS(ON)=0.8mΩ (typ.) (VGS=10V)■新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25°C)
品番
極性
絶対最大定格
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON) max (mΩ)
チャネル・ケース間
過渡熱
インピーダンス
Zth(ch-c)
max
Tc=25°C
(℃/W)
パッケージ
シリーズ
在庫検索&
Web少量購入
ドレイン・
ソース間電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流 (DC)
ID
(A)
ドレイン
電流
(パルス)
IDP
(A)
チャネル温度
Tch
(°C)
VGS=6V
VGS=10V
XPQR3004PB
Nチャネル
40
400
1200
175
0.47
0.30
0.2
L-TOGLTM
U-MOSIX-H
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XPQ1R004PB
Nチャネル
40
200
600
175
1.8
1.0
0.65
L-TOGLTM
U-MOSIX-H
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
XPQR3004PB
XPQ1R004PB
新製品の関連コンテンツについては下記ページをご覧ください
車載MOSFET 新SMDパッケージ“L-TOGL™”のご紹介(動画)車載MOSFETのパッケージトレンドアプリケーション:
ISG (Integrated Starter Generator)
自動車エンジン制御
DC-DCコンバーター回路当社の車載MOSFET製品詳細については下記ページをご覧ください。
車載MOSFET
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XPQR3004PB
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XPQ1R004PB
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※L-TOGL™は、東芝デバイス&ストレージ株式会社の商標です。
※その他の社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
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連絡先
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
お問い合わせ先報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
E-Mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
プレスリリース情報提供元:ビジネスワイヤ
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