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Samsungが支援する韓国の研究グループ、3進法半導体を開発
あるAnonymous Coward曰く、
韓国・蔚山科学技術研究所の研究チームが、大型ウエハ上でエネルギー効率の良い3進法金属酸化物半導体(MOS)を実現する手法の開発に成功したと発表した(Nature Electronics誌掲載論文、ZDNet、Slashdot、MK News)。
一般的なコンピュータや計算機は0/1の2進法で演算を行っており、演算能力を向上させるには1チップ上に多くの素子を実装して集積度を高めていく。しかし、トランジスタ素子は小型化の限界に近づきつつある。トランジスタで0/1/2の3つの状態を扱えるようにすることで、集積度を上げずとも処理能力を高めることが期待できるという。
現在の2進法で数値128を表現するためには、8ビットが必要となる。しかし、3進法の場合は5トリットですむとしている。現在の2進法による半導体と比較して、新しい3進法ベースの半導体はデータ処理時間を短縮し、消費電力を削減するとしている。
このプロジェクトはサムスン電子の資金援助によって行われており、同社の製造設備を使った検証も行われているとしている
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※この記事はスラドから提供を受けて配信しています。
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