東芝：電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション パワーMOSFET「DTMOS VIシリーズ」の発売について

東芝：電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション パワーMOSFET「DTMOS VIシリーズ」の発売について

（東京）- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンター、太陽光発電パワーコンディショナーなどの産業機器用電源向けに、650V耐圧の新世代スーパージャンクション パワーMOSFET「DTMOS VI (ディーティーモス・シックス) シリーズ」を製品化しました。シリーズ第一弾となる新製品「TK040N65Z」の量産、出荷を本日から開始します。

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東芝：新世代スーパージャンクション パワーMOSFET「DTMOS VI (ディーティーモス・シックス) シリーズ」の第一弾製品「TK040N65Z」（写真：ビジネスワイヤ）

DTMOS VIシリーズは、従来シリーズ「DTMOS IV-H (ディーティーモス・フォー・エイチ)」と比べて、性能指数であるドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート･ドレイン間電荷量 (RDS(ON)×Qgd)の低減を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献できる製品です。TK040N65Zは、従来製品「TK62N60X」(DTMOS IV-Hシリーズ)と比べて、RDS(ON)×Qgdを約40%低減したことにより、電源効率が約0.36%^[注1]向上しました。

当社は、今後も市場動向に合わせてラインアップの拡充を推進し、電源の高効率化に貢献します。

応用機器

データセンター (サーバー電源など) 太陽光発電パワーコンディショナー 無停電電源装置 新製品の主な特長

低RDS(ON)×Qgd化を実現し、スイッチング電源の高効率化が可能   新製品の主な仕様

(@Ta=25 ℃)

品番   パッケージ   絶対最大定格   ドレイン・ソース間 オン抵抗

RDS(ON) max

@VGS=10 V

(Ω)

  ゲート 入力

電荷量

Qg

typ.

(nC)

  ゲート･ ドレイン間

電荷量

Qgd

typ.

(nC)

  入力容量 Ciss

typ.

(pF)

  従来シリーズ

(DTMOS IV-H)

品番

  オンラインディストリビューター
在庫検索＆Web少量購入

ドレイン・ ソース間

電圧

VDSS

(V)

  ドレイン 電流

(DC)

ID

(A)

TK040N65Z

  TO-247   650   57   0.040   105   27   6250   TK62N60X   Buy Online

  [注1] 2018年6月時点、当社実測値 (2.5kW PFC回路@出力電力=2.5kW)。

東芝400V-900V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/hv-mosfet.html

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/buy/stockcheck.TK040N65Z.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。





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報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

プレスリリース情報提供元：ビジネスワイヤ