東芝:車載用40V耐圧 NチャネルパワーMOSFETの新パッケージ製品追加について
配信日時: 2018-04-11 18:10:00
~低抵抗・小型パッケージ採用により、さらなる低オン抵抗を実現
(東京)- (ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの新製品として、低抵抗・小型パッケージのSOP Advance(WF)を採用した「TPHR7904PB」および「TPH1R104PB」をラインアップに追加しました。本日から量産を開始します。
本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。:https://www.businesswire.com/news/home/20180411005579/ja/
東芝:低抵抗・小型パッケージのSOP Advance(WF)を採用した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET新製品「TPHR7904PB」および「TPH1R104PB」(写真:ビジネスワイヤ)
新製品は、当社最新のトレンチMOS第9世代「U-MOS Ⅸ-H(ユー・モス・ナイン・エイチ)シリーズ」のMOSFETチップを、低抵抗・小型パッケージへ搭載することにより、低オン抵抗特性を実現しました。これにより、導通損失を低減することが可能です。また、U-MOS Ⅸ-Hデザインは当社従来デザイン(U-MOSⅣ)に比べスイッチングノイズが少なく、電磁妨害(EMI)の低減が期待できます。
パッケージは基板実装状態の自動外観検査(Automated Optical Inspection;AOI)が可能な端子構造(ウェッタブルフランク構造)を採用した SOP Advance(WF)です。
応用機器
電動パワーステアリング(EPS) ロードスイッチ 電動ポンプ 新製品の主な特長
U-MOS Ⅸ-HプロセスとSOP Advance(WF)パッケージによりRDS(ON)max = 0.79mΩを実現 低ノイズ特性により電磁妨害(EMI)を低減 低抵抗・小型パッケージにウェッタブルフランク構造を追加 新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25°C)
品番
ドレイン・ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON) max.(mΩ)
ゲート・ソース間
ツェナー
ダイオードの有無
シリーズ @VGS=6V @VGS= @10V TPH1R104PB 40 120 1.96 1.14 No U-MOS Ⅸ TPHR7904PB 150 1.3 0.79 No
U-MOS Ⅸ 当社MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet.html
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html
*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
businesswire.comでソースバージョンを見る:https://www.businesswire.com/news/home/20180411005579/ja/
連絡先
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
プレスリリース情報提供元:ビジネスワイヤ
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