東芝：ノイズ特性を改善した600V/650V耐圧スーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFETの発売について

東芝：ノイズ特性を改善した600V/650V耐圧スーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFETの発売について

（東京）- （ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝 ストレージ＆デバイスソリューション社は、各種産業・オフィス装置用の電源向けに、当社既存製品に比べてノイズ(EMI)特性を改善した、600V/650V耐圧でスーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFETの新シリーズ「DTMOS V（ディーティーモス・ファイブ）シリーズ」を立ち上げ、その第一弾となる12製品のサンプル出荷を本日から開始します。3月中旬から量産出荷を開始する予定です。

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東芝： 600V/650V耐圧スーパージャンクション構造のMOSFET「DTMOS Vシリーズ」（写真：ビジネスワイヤ）

新シリーズは、当社既存製品の「DTMOS IV（ディーティーモス・フォー）シリーズ」と比べて、同等レベルの低オン抵抗と高速スイッチング特性を維持しながら、設計プロセスの最適化により、EMI特性を各製品それぞれ約3～5dB低減しています。^［注１］また、単位面積当たりのオン抵抗「RON x A」特性の改善により、既存製品では実現できなかった650V耐圧・DPAKパッケージでの0.29Ω製品をラインアップに加えることができました。新シリーズは、小型化や高効率化が必要な各種産業・オフィス装置向けの電源、ノートPC・携帯端末用アダプター・チャージャー、PC、プリンター、などの応用機器に対応する製品です。

  ＊新製品のラインアップ・主な仕様：

品番   パッケージ   絶対最大定格   RDS(ON) MAX.

(Ω)

@VGS=10V

  Qg Typ. (nC)

@VDD=400V

VGS=10V

ID=定格電流

  Ciss Typ. (pF)

@VDS=300V

VGS=0V

f=100kHz

VDSS (V)   ID (A)

TK290A60Y TO-220SIS 600 11.5 0.29 25 730 TK380A60Y TO-220SIS 600 9.7 0.38 20 590 TK560A60Y TO-220SIS 600 7.0 0.56 14.5 380 TK290P60Y DPAK 600 11.5 0.29 25 730 TK380P60Y DPAK 600 9.7 0.38 20 590 TK560P60Y DPAK 600 7.0 0.56 14.5 380 TK290A65Y TO-220SIS 650 11.5 0.29 25 730 TK380A65Y TO-220SIS 650 9.7 0.38 20 590 TK560A65Y TO-220SIS 650 7.0 0.56 14.5 380 TK290P65Y DPAK 650 11.5 0.29 25 730 TK380P65Y DPAK 650 9.7 0.38 20 590 TK560P65Y   DPAK   650   7.0   0.56   14.5   380   ［注１］150～210MHz帯域で当社評価用電源ボード使用時。東芝調べ。

新製品を含む東芝の中高耐圧MOSFET製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/hv-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。





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株式会社東芝
ストレージ＆デバイスソリューション社
デジタルマーケティング部
高畑浩二
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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