東芝：高効率電源向けに低オン抵抗と高速スイッチング特性を改善した800V耐圧スーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFETの発売について

東芝：高効率電源向けに低オン抵抗と高速スイッチング特性を改善した800V耐圧スーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFETの発売について

（東京）- （ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝 ストレージ＆デバイスソリューション社は、高効率電源向けに、低オン抵抗と高速スイッチング特性を改善した低電圧駆動のパワーMOSFETの新製品として、800 V耐圧でスーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFET 8製品を「DTMOS IV（ディーティーモス・フォー）シリーズ」のラインアップに追加し、本日から出荷を開始します。

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東芝：高効率電源向けに低オン抵抗と高速スイッチング特性を改善した800V耐圧スーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFET （写真：ビジネスワイヤ）

新製品は、スーパージャンクション構造を適用することによって、単位面積当たりのオン抵抗「RON x A」を、当社既存製品「π-MOSVIIIシリーズ」に比べて約79%低減しています。また、高速スイッチング特性により、応用機器の電源効率の改善に貢献することが可能です。各種産業用電源、各種サーバー用スタンバイ電源、ノートPCやモバイル機器向けのアダプターやチャージャー、LED照明用電源などの応用機器に対応する製品です。

  ＊新製品のラインアップ・主な仕様：

(@Ta=25°C)

品番   パッケージ   絶対最大定格   ドレイン・ソース
間オン抵抗
RDS(ON)
@VGS=10 V
(Ω)

  ゲート入力電荷量
Qg typ.
@VDD≈640 V,
VGS=10 V,
ID=Maximum
Rating
(nC)

  入力容量
Cisstyp.
@VDS=300 V,
VGS=0 V,
f=1 MHz
(pF)

ドレイン・
ソース間
電圧
VDSS
@
ID=10 mA

(V)

  ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)

TK17A80W TO-220SIS 800 17 0.29 32 2050^［注１］

TK12A80W TO-220SIS 800 11.5 0.45 23 1400 TK10A80W TO-220SIS 800 9.5 0.55 19 1150 TK7A80W TO-220SIS 800 6.5 0.95 13 700 TK17E80W TO-220 800 17 0.29 32 2050^［注１］

TK12E80W TO-220 800 11.5 0.45 23 1400 TK10E80W TO-220 800 9.5 0.55 19 1150 TK7E80W   TO-220   800   6.5   0.95   13   700 ［注１］測定条件 f=100 kHz

  新製品を含む東芝の中高耐圧MOSFET製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/hv-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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連絡先
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
株式会社東芝
ストレージ＆デバイスソリューション社
デジタルマーケティング部
高畑浩二
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

プレスリリース情報提供元：ビジネスワイヤ