トランスフォームが新たに電力レベル別のGaN FET信頼性評価を公開

当社の高電圧GaNデバイスは広範な電力範囲のアプリケーションで、クラス最高の信頼性を一貫して提供

（米カリフォルニア州ゴリータ）-（ビジネスワイヤ）-- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、当社のGaNパワーFETに関する最新の信頼性評価を発表しました。信頼性は時間当たり故障回数（FIT）によって測定されますが、これは実際のアプリケーションで使用された場合に現場でデバイスが故障した回数として顧客が報告したものを考慮して分析したものです。現時点で当社の全製品ポートフォリオは、850億時間を超える現場での稼働時間に基づき、平均0.1未満のFITを達成しています。これは現在市場で入手可能なGaNパワーソリューションの中で業界最高レベルであり、広範な電力範囲の信頼性評価としては、唯一報告されているものです。

トランスフォームは、ワイドバンドギャップ技術が市場に初めて登場した時、信頼性の重要性を理解しているため、信頼性を念頭に置いて当社のGaNを構築しました。GaNはシリコンベースのトランジスターよりも性能が優れていましたが、顧客は実環境での使用によってデバイスが故障しても、当時新しかった技術に切り替えようとしませんでした。トランスフォームは2019年にGaNメーカーとしては初めて、信頼性に関する当社の主張を裏付ける完全な検証データを公開しました。当社はそれ以来、GaNの信頼性の成果を定期的に共有し、潜在顧客が半導体サプライヤーを選ぶ際に、情報に基づいた意思決定を行えるようにしています。トランスフォームは前回の2022年第1四半期に、当社のFIT率が0.3未満であると報告しています。

トランスフォームは今年、顧客がGaN FETの選択肢を評価する方法を変えるべく、新たな一歩踏み出します。当社の信頼性データを取得し、2つのカテゴリーに分類することにしました。

低電力：500W以下の電力レベルのアプリケーションで使用するGaNデバイス高電力：500Wを超えるアプリケーションで使用するGaNデバイス電力レベル別でデバイス性能をみる場合、トランスフォームのGaN FETは、シリコンベースのパワーデバイスと極めて類似した信頼性評価を実現しています。

低電力：0.06 FIT高電力：0.19 FITトランスフォームの事業開発・マーケティング担当シニアバイスプレジデントを務めるフィリップ・ズークは、次のように述べています。「当社の高電圧GaNデバイスは、最も幅広い電力範囲をカバーすることで最も広範なアプリケーション向けに設計されており、現在は45Wから4kWまで、そしてGaNが新たな市場に導入されれば10kW以上に達する可能性を秘めています。これは当社技術の大きな汎用性を示しています。しかし、私たちは、あらゆるアプリケーション例をひとまとめにした単一の信頼性評価を提供しても、お客さまにとって有益ではないかもしれないことに気づきました。お客さまごとの設計要件に適用できるよう、より微妙な差異が分かるデータを利用できるようにすることが必要だと考えました。低電力と高電力を区別することにしたのは、そのためです。」

業界を超えたリーダーシップ

トランスフォームは、そのデバイスの品質と信頼性の組み合わせにより、高電圧GaNのリーダーとしての立場を維持しています。当社は、アダプター、PCコンピューティング、ブロックチェーン、データセンター、再生可能エネルギー、電力貯蔵など、さまざまな末端市場に製品を出荷しています。

SuperGaN技術がもたらす違いについての詳細は、http://bit.ly/38HHGF7をご覧ください。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。

本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。



businesswire.comでソースバージョンを見る：https://www.businesswire.com/news/home/20221215005226/ja/

連絡先
Press Contact:
Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

プレスリリース情報提供元：ビジネスワイヤ