強誘電体RAM市場、2021年から2026年にかけてCAGR 3.5%で成長見込み

株式会社グローバルインフォメーションは、市場調査レポート「強誘電体RAMの世界市場：業界動向、市場シェア・規模・成長率・機会および予測（2021年～2026年）」（IMARC Services Private Limited）の販売を11月30日より開始いたしました。

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市場の概要
強誘電体RAMの世界市場は、2015年から2020年にかけて緩やかな成長を示しました。今後、市場は2021年から2026年にかけてCAGR 3.5%で成長すると予想されています。

強誘電体ランダムアクセスメモリ（RAM）又はFRAMとは、ダイナミックRAMよりも高速な読み書きアクセスが可能なRAMのことを指します。PZT（チタン酸ジルコン酸鉛）を用いた強誘電体薄膜と、プレートに接続されたビット線とコンデンサーで構成されています。主に使用されているFRAMには、シリアルメモリとパラレルメモリがあり、PDA（Personal Digital Assistants）、スマートフォンや無線製品、スマートメーター、カーエレクトロニクス、スマートカード、医療・ウェアラブル機器などの家庭用電化製品に搭載されています。従来から使用されているフラッシュドライブと比較して、FRAMは消費電力が少なく、書き込み消去サイクル数が多く、書き込み性能が速いのが特徴です。

市場の成長要因
世界的な情報技術（IT）産業の著しい成長は、市場の見通しを明るくする重要な要因の一つです。さらに、携帯型電子機器の普及も市場の成長を促しています。また、スマートメーターのメーカーは、FRAMを採用してバッテリー駆動のワイヤレスセンサーを動作させることで、動作寿命を延ばし、全体的なメンテナンスコストを最小化しています。このことが、市場の成長をさらに強化しています。さらに、IIoT（Industrial Internet of Things）やクラウドコンピューティングソリューションと接続機器との統合など、さまざまな技術的進歩も成長を促進する要因として作用しています。最新のFRAMは、工場設備の試験・計測や、産業プロセスの不揮発性データキャプチャーのために、継続的で高周波かつ高信頼性のデータロギングを必要とするアプリケーションに使用されています。その他、産業用オートメーションの増加や、広範な研究開発（R&D）活動などの要因が、市場をさらに押し上げると予想されます。

主要な市場区分
強誘電体RAMの世界市場は、タイプ、アプリケーション、エンドユースに基づいて分類されています。

タイプ別の市場構成
・シリアルメモリ
・パラレルメモリ
・その他

アプリケーション別の市場構成
・マスストレージ
・エンベデッドストレージ
・その他

エンドユース別の市場構成
・セキュリティシステム
・エナジーメーター
・スマートカード
・コンシューマーエレクトロニクス
・ウェアラブルエレクトロニクス
・カーエレクトロニクス
・その他

市場の競合状況
強誘電体RAMの世界市場における主要な企業としては、富士通株式会社、Infineon Technologies AG、International Business Machines Corporation、LAPIS Semiconductor Co. Ltd.、Samsung Electronics Co. Ltd.、テキサス・インスツルメンツ・インコーポレーテッド、株式会社東芝などがあります。


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