東芝:絶縁型ソリッドステートリレー(SSR)用フォトボルタイック出力フォトカプラーの発売について
配信日時: 2021-05-27 11:00:00
〜高い開放電圧で高耐圧パワーMOSFET駆動に貢献〜
(東京)-(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、半導体リレーの一種であるソリッドステートリレー(SSR)に使用する高耐圧パワーMOSFETのゲート駆動に適した、薄型SO6Lパッケージのフォトボルタイック出力フォトカプラー (以下フォトボルタイックカプラー) 「TLP3910」を製品化しました。本日から量産出荷を開始します。
本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。:https://www.businesswire.com/news/home/20210526005422/ja/
東芝:絶縁型ソリッドステートリレー(SSR)用フォトボルタイック出力フォトカプラー「TLP3910」 (画像:ビジネスワイヤ)
SSRは、出力側のデバイスとしてフォトトライアック/フォトトランジスター/フォトサイリスター等の半導体デバイスを用いたリレーです。大電流をON/OFF制御する応用に適しています。
フォトボルタイックカプラーは、光素子とMOSFETからなるフォトリレーから、スイッチ機能を担うMOSFETを除いた製品です。絶縁型SSR[注1]を構成する際、フォトボルタイックカプラーとMOSFETを組み合わせることで、フォトリレーでは難しい高電圧・大電流のスイッチが容易に実現できます。
当社従来製品TLP191BやTLP3906では、高耐圧パワーMOSFET駆動時のゲート電圧が10V以上の場合、開放電圧が足りずに、2個直列で使用する必要がありました。新製品TLP3910は、最小開放電圧が当社従来製品と比べて2倍の14Vで、高耐圧パワーMOSFETのゲートを1個で駆動することができ、部品点数の削減が可能です。
さらに、内蔵放電回路の性能向上により、標準ターンオフ時間をTLP3906と比べて約1/3、TLP191Bと比べて約1/30の0.1msに短縮し、高速化しました。
TLP3910は、フォトボルタイックカプラーでは当社初の最小沿面・空間距離8mm、最小絶縁耐圧5000Vrms[注2]を実現し、AC400V系で駆動する産業機器等への応用を可能にしました。また、高温動作125°C対応により応用範囲を広げました。
[注1] 一次(制御)側と二次(スイッチ)側が電気的に絶縁されたもので、ACラインと直結した回路のスイッチや、グラウンド電位が異なる機器間のスイッチを、絶縁バリアを介し制御できる。
[注2] フォトボルタイックカプラーで、2021年5月27日現在、当社調べ。
応用機器
絶縁型SSR (スイッチ用高耐圧パワーMOSFETのゲート駆動)
産業機器 (プログラマブルロジックコントローラーなどI/Oのリレー接点出力、ブレーキシステム ソレノイド駆動制御部、主電源回路・突入電流防止回路、BMS[注3]のバッテリー電圧監視部、地絡検出部)計測機器 (電源ライン切替、測定ライン切替)[注3] BMS : Battery Management System
新製品の主な特長
高い開放電圧 : VOC=14V (min)短絡電流 : ISC=12μA (min) @IF=10mA (C20ランク品) ISC=20μA (min) @IF=10mA高い絶縁耐圧 : BVS=5000Vrms (min)高い動作温度定格 : Topr (max)=125°C沿面/空間距離 : 8mm (min)新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25°C)
品番
TLP3910
放電回路
内蔵
絶対最大定格
動作温度 Topr (°C)
-40~125
電気的特性
順電圧 VF min/typ./max (V)
@IF=10mA
3/3.3/3.6
結合特性
開放電圧 VOC min (V)
@IF=10mA
14
短絡電流 ISC min (μA)
@IF=10mA
(一般品) 12
(C20ランク品) 20
トリガーLED電流 IFT max (mA)
3
スイッチング特性
ターンオン時間 ton typ./max (ms)
0.3/1.0
ターンオフ時間 toff typ./max (ms)
0.1/0.5
絶縁特性
絶縁耐圧 BVS min (Vrms)
5000
構造パラメータ
空間/沿面距離 min (mm)
8.0
パッケージ
名称
SO6L
サイズ typ. (mm)
3.84×10×2.1
安全規格
UL、cUL、
VDE(オプション(D4)品)
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* 本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
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連絡先
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
プレスリリース情報提供元:ビジネスワイヤ
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