Toshiba Electronic Devices & Storage Corporationのプレスリリース(ページ 4)
東芝:スイッチング損失を低減する4端子パッケージ採用の産業用機器向け第3世代シリコンカーバイド(SiC) MOSFET発売について
- 配信日時
- 2023-08-31 11:00:00
- 配信元
- ビジネスワイヤ
東芝:産業用機器の高効率化・小型化に貢献する業界初の2200V耐圧Dual シリコンカーバイド (SiC) MOSFETモジュール開発について
- 配信日時
- 2023-08-29 11:00:00
- 配信元
- ビジネスワイヤ









