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東芝が48層構造を持つメモリ半導体「3次元フラッシュメモリ」を開発
2015年8月8日 18:15
記事提供元：スラド
あるAnonymous Coward 曰く、 東芝が48層積層プロセスを用いた、世界初という容量256Gbの「3次元フラッシュメモリ」を開発したと発表した（産経新聞）。
1チップで256Gb（＝32GB）を実現したほか、書き込む速度の高速化や高寿命化なども計られているという。
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※この記事はスラドから提供を受けて配信しています。
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