IntelとMicron、「革新的」な不揮発メモリ技術を開発したと発表

あるAnonymous Coward 曰く、　IntelとMicron TechnologyがNANDメモリと比べて高速性・耐久性は最大で1000倍、従来型メモリと比べ集積度が10倍以上という不揮発メモリ技術を発表したと発表した（ASCII.jp、CNET Japan）。

　この新技術「3D XPoint テクノロジー」と呼ばれている。XPointの名称に3Dが追加されたのは、3D構造の隅々までメモリセルが積層されたクロスポイントアーキテクチャに由来するそうだ。最初のバージョンは、2つのメモリ層に格納されたダイ当たり128Gbの容量で構成される予定。サンプル出荷は今年の後半を予定しているほか、両者はXPonitメモリー技術を用いた各種製品を開発中とのこと。

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