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NTT、人工原子や人工分子の作製に成功
2014年7月3日 18:40
記事提供元：スラド
あるAnonymous Coward 曰く、 NTTが6月27日、原子1個の誤差も無い半導体量子ドット（人工原子）と、それを組み合わせた人工分子の作製に成功したことを発表した（PC Watch）。
分子線エピタキシャル成長（MBE）法 によって作製した半導体の清浄表面の上に、低温走査トンネル顕微鏡（STM）を用いた原子操作によって、原子をブロックのように積み上げることで実現したという。この技術を用いることで、「原子レベルの再現性をもつ究極の量子デバイスが作製可能になる」としている。
今回発表された技術は、STMを用いて6～25個のインジウム（In）原子をインジウムヒ素（InAs）基板上に並べて固定することで量子構造を作るというもの。
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