8Gbitの相変化メモリが実現

　tarbz2 曰く、

　 PC Watch の記事によれば、Samsung Electronics が、20 nm と極めて微細な製造技術で 8 G bit と大きな容量の相変化メモリの試作を実現したとのことだ。これは記憶容量で相変化メモリが DRAM を追い越したことを意味し、シリコンダイ面積が 59.4 ㎟ ということで、DRAM とあまり変わらなく、原理的には製造コストでも追いついたことを意味する。

　次世代大容量不揮発性メモリの候補として、抵抗変化メモリ (ReRAM) と磁気メモリ (MRAM) が存在するが、ここで相変化メモリが一歩抜け出したかもしれない。

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