カーボンナノチューブを用いたトランジスタ、シリコンを上回る性能を見せる

　dodonga 曰く、

　IBM のトーマス・J・ワトソン研究所の研究者らが、カーボンナノチューブ (CNT) を用いたトランジスタの性能がシリコントランジスタを上回るという実験結果を発表した (CNET Japan の記事、doi:10.1021/nl203701gより) 。

　これまで 10 ナノメートル以下級の CNT を用いたトランジスタについては理論上の考察が主で実験結果などは示されてこなかったが、実際に作って評価してみた、というもの。CNT トランジスタは 0.5 V の低電圧でシリコントランジスタと比較して 4 倍以上の電流密度の向上を実現しており、従来の理論研究を上回る性能を示した。

　今回の実験は特性計測を目的としており、新しい製造プロセスを開発するためのものではないが、低電圧化、小型化させつつ処理能力を向上を実現できる未来につながるかもしれない。

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