エルピーダ、新たな不揮発性メモリ「ReRAM」の開発に成功

あるAnonymous Coward 曰く、　エルピーダメモリが「ReRAM」（Resistance Random Access Memory、抵抗変化型メモリ）と呼ばれる、新しい不揮発性メモリの開発に成功した（プレスリリース）。

　電圧を加えることで抵抗値が変化する材料を素子として用いることで、電源を落としてもデータを保持できる。このような不揮発性のメモリとしてはNANDフラッシュメモリが知られているが、NANDフラッシュメモリは速度が遅いという欠点があった。ReRAMは10nsというDRAM並の書き換え速度を持ち、またNANDフラッシュメモリの10倍以上の耐久性を持つのが特徴という。

　今回の試作品は50nmプロセスで製造され、容量は64メガビット。今後開発を進め、2013年には30nmプロセスでギガビット級の容量を持つReRAMの量産を目指すそうだ。

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