新たなパワー半導体材料、酸化ガリウム

s-kei 曰く、　NICTは株式会社タムラ製作所および株式会社光波と共同で、酸化ガリウム(Ga2O3)を用いたFETを開発、世界初の動作実証に成功した(プレスリリース、EE Times Japanの記事、Applied Physics Letters掲載論文の概要)。

現在、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といったワイドギャップ半導体が注目を集めており、研究開発も活発に進められている。酸化ガリウムはSiCやGaNよりもバンドギャップが大きく、単結晶基板の作製も容易だ。そのため、高耐圧・低損失のパワーデバイスを低コスト・低エネルギーで製造できる可能性を持つが、これまではほとんど研究されてこなかったという。今回開発したMESFETでは、非常にシンプルなトランジスター構造にも関わらず良好な特性を示したとのこと。

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