ウィンボンド、新たに1GビットシリアルNANDフラッシュメモリの性能を拡張、データ転送速度は最大83MB/秒に

新しいシリアルNANDフラッシュメモリW25N01JWは、シリアルNORフラッシュの代替品として車載ディスプレイやインスツルメント・クラスタ向けに１Gビットおよび２Gビットの容量で、高信頼性かつ低コストを実現します。

（台湾、台中）- （ビジネスワイヤ） -- 半導体メモリ・ソリューションの世界的なリーディング・サプライヤであるウィンボンド・エレクトロニクスは、本日、QSPI (Quad Serial Peripheral Interface）を介して83MB/秒という高速データ転送が可能なシリアルNANDフラッシュメモリW25N01JWを発表し、サンプルの提供を開始しました。最大166MB/秒のデータ転送速度を実現する2チップ・デュアル・クアッド・インターフェースにも対応しています。

シリアルNANDフラッシュメモリW25N01JWは、既存製品よりも約4倍の高速読み出し動作により、インスツルメント・クラスタやセンター情報ディスプレイ（CID/Centre Information Display）などの車載アプリケーションにおけるデータ・ストレージ向けにシリアルNORフラッシュメモリの代替品として使用可能です。

近年、インスツルメント・クラスタには、より洗練されたグラフィック・ディスプレイを、またCIDには7インチ以上の大型なディスプレイの採用が増え、不揮発メモリに求められる容量が1Gビット以上になってきています。これらの容量において、シリアルNANDフラッシュメモリはシリアルNORフラッシュメモリよりも大幅に単価および1Mビット当たりの基板占有面積を抑えることができます。

シリアルNORフラッシュメモリは、高速読み出しや、高信頼性、長期データ保持期間の観点から、車載ディスプレイ向けメモリとして長年採用されてきました。シリアルNANDフラッシュメモリW25N01JWは、車載グレードのシリアルNORフラッシュメモリと同等の83MB/秒にデータ転送速度を上げることで、高速ブートと洗練されたグラフィックス・アプリケーションの厳しい要件に対応します。

シリアルNANDフラッシュメモリW25N01JWは車載向けの厳しい品質および信頼性条件も満たしています。メモリ・セルを高信頼性のSLC (Single Level Cell)で構成し、ハードウェア・ロジックによるECC(Error Checking and Correction)を実装することで、AEC-Q100規格やJEDEC関連仕様の耐久性、データ保持期間、および品質要件に準拠しています。

シリアルNANDフラッシュメモリW25N01JWの動作温度範囲は-40℃から+105℃です。+85℃の高温にてプログラム/消去サイクルを1,000回実施した後のデータ保持期間は10年です。一方、eMMCでは、ハイエンド車載CID向けに広く使用されているSLCモードでも、これらの条件下でそれほどのデータ保持期間は不可能です。

ウィンボンド・エレクトロニクスのフラッシュメモリ製品マーケティング部 副ディレクターのウィリアム・チェン氏は「大画面で魅力的な車載向けディスプレイは、512Mビット以下で足りていたシリアルNORフラッシュメモリの “スイートスポット”を超えたより大容量なメモリを必要とします。ウィンボンド・エレクトロニクスのシリアルNANDフラッシュメモリW25N01JWは、1Gビット以上の容量で高速データ転送を必要とするシステム向けに最適です。低単価、小パッケージ・サイズながらも優れた信頼性およびデータ保持期間を提供します」と述べています。

シリアルNANDフラッシュメモリW25N01JWは、インダストリアル・グレード、および、+105℃までの高温動作に対応したオートモーティブ・グレードにて提供可能です。また、シリアルNANDフラッシュメモリの標準プロトコルと互換性があり、パッケージは8mm x 6mm WSONおよびTFBGAで、シリアルNOR フラッシュメモリの標準フットプリントとも互換性があります。

ウィンボンド・エレクトロニクスについて

ウィンボンド・エレクトロニクスは、台湾台中に本社を置く、半導体メモリ・ソリューションの世界的リーディング・サプライヤです。主要製品は、スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、コードストレージ・フラッシュメモリです。2017年の事業収益は約12.5億USドルです。ウィンボンド・エレクトロニクスは台湾、香港、中国、日本、イスラエル、米国にオフィスを構えており、世界で約2,800人の従業員を有しています。詳細についてはウェブサイトwww.winbond.comをご覧ください。





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