東芝デバイス＆ストレージ(株)：小型デュアルパッケージのリレー駆動用小型MOSFET発売について

東芝デバイス＆ストレージ(株)：小型デュアルパッケージのリレー駆動用小型MOSFET発売について

（東京）- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したMOSFET「SSM6N357R」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。：http://www.businesswire.com/news/home/20180128005098/ja/

東芝デバイス＆ストレージ(株): 小型デュアルパッケージのリレー駆動用小型MOSFET「SSM6N357R」 （写真：ビジネスワイヤ）

新製品は、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。

さらに、新製品はデュアルタイプパッケージ(2in1)を採用しており、当社シングルタイプパッケージ品「SSM3K357R」(2.4 x 2.9 x 0.8 mm)を2個使用する場合と比較して、実装面積を42%程度低減します。

また、業界標準のTSOP6Fクラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適合により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。

応用機器

車載向け リレー、ソレノイド駆動用 産業向け リレー、ソレノイド駆動用 OA機器向け クラッチ駆動用 新製品の主な特長

周辺部品の削減が可能 3.0V低電圧動作 デュアルパッケージ品 (2 in 1) AEC-Q101適合   新製品の主な仕様

(@Ta=25℃)

項目   特性 絶対最大定格   ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)

60 ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)

±12 ドレイン電流 ID (A)

0.65 電気的特性 ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) max

(mΩ)

  |VGS|=3.0V 2400 |VGS|=5.0V 1800 ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC)

1.5 入力容量 Ciss typ. (pF)

43 パッケージ   TSOP6F   2.9mm×2.8mm; t=0.8mm   当社の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
小信号デバイス営業推進部
Tel： 03-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
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Tel: 03-3457-4963
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プレスリリース情報提供元：ビジネスワイヤ