東芝デバイス&ストレージ(株):600V耐圧新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨシリーズ」発売について
配信日時: 2018-01-10 13:40:00
東芝デバイス&ストレージ(株):600V耐圧新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨシリーズ」発売について
(東京)- (ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、600V耐圧の新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨ(パイ・モス・ナイン)シリーズ」の量産を本日から開始します。新シリーズは、チップデザインの最適化により現行のπ-MOSⅦ(パイ・モス・セブン)シリーズと比較して、効率を維持しつつ、EMIノイズピーク値を5dB低減[注1]しており、設計自由度向上、設計省力化に貢献します。また定格電流(DC)と同等のアバランシェ電流定格を確保し、現行世代品からの置き換え検討を容易にしています。
本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。:http://www.businesswire.com/news/home/20180109006891/ja/
東芝デバイス&ストレージ(株): 600V耐圧新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨシリーズ」 (写真:ビジネスワイヤ)
当社は今後、本シリーズの同耐圧でのラインアップ展開および500V、650V耐圧品のラインアップ展開を行います。
応用機器
ノートPC用ACアダプター、ゲーム機チャージャーなどの中小型スイッチング電源 照明用電源 新製品の主な特長
高効率と低ノイズの両立 定格電流(DC)と同等のアバランシェ電流定格を確保 新製品の主な仕様
品番 パッケージ 絶対最大定格 RDS(ON)
MAX (Ω)
at VGS=10V
Qg
Typ.
(nC)
Ciss
Typ.
(pF)
現行世代
(π-MOSⅦシリーズ)
品名
VDSS (V) ID (A) TK650A60F TO-220SIS 600 11 0.65 34 1320 TK11A60D TK750A60F TO-220SIS 600 10 0.75 30 1130 TK10A60D TK1K2A60F TO-220SIS 600 6 1.2 20.5 740 TK6A60D(1.25Ω) TK1K9A60F TO-220SIS 600 3.7 1.9 14 490 TK4A60DB(2.0Ω) [注1]TK10A60DとTK750A60Fでの比較。(65WノートPCアダプター@200MHz領域)
当社の400V-900V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/hv-mosfet.html
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html
*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
businesswire.comでソースバージョンを見る:http://www.businesswire.com/news/home/20180109006891/ja/
連絡先
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
プレスリリース情報提供元:ビジネスワイヤ
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