東芝デバイス＆ストレージ(株): 業界トップクラスの低オン抵抗を実現した産業機器用100V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

～低耐圧パワーMOSFET「U-MOS IX-Hシリーズ」のラインアップを拡充～

（東京）- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は低耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS IX-H（ユー・モス・ナイン・エイチ）シリーズ」の新製品として、産業機器用電源に適した100V耐圧製品「TPH3R70APL」と「TPN1200APL」を追加し、本日から出荷を開始します。

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東芝デバイス＆ストレージ(株)：産業機器用100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH3R70APL」（写真：ビジネスワイヤ）

新製品は、低耐圧トレンチ構造の当社最新世代U-MOS IX-Hプロセスを採用し、素子構造の最適化により業界トップクラス^［注１］の低オン抵抗を実現しています。さらに、既存プロセス(U-MOS VIII-H（ユー・モス・エイト・エイチ）)と比べて、スイッチング用途における要求性能指数であるオン抵抗×出力電荷量と、オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を低減^［注２］し、低スイッチング損失を実現します。

当社は市場動向に合わせて今後もラインアップの拡充を推進し、電源の高効率化に貢献します。

応用機器

・産業機器用電源
・モーター制御機器

新製品の主な特長

・業界トップクラス^［注１］の低オン抵抗
RDS(ON) = 3.7 mΩ (max) ＠VGS = 10 V (TPH3R70APL)
RDS(ON) = 11.5 mΩ (max) ＠VGS = 10 V (TPN1200APL)
・低出力電荷量、低ゲートスイッチ電荷量
・ロジックレベル駆動 (4.5 V) に対応

  新製品の主な仕様

   (特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

  絶対最大定格   ドレイン・
ソース間

オン抵抗

RDS(ON) max

(mΩ)

  ゲート
入力
電荷量

Qg
typ.

(nC)

  ゲート
スイッチ
電荷量

Qsw
typ.

(nC)

  出力

電荷量

Qoss
typ.

(nC)

  入力
容量

Ciss
typ.

(pF)

  パッケージ

ドレイン
・ソース
間電圧
VDSS (V)

  ドレイ
ン電流
(DC)

ID

@Tc =
25℃

(A)

@VGS=
10 V

  @VGS=
4.5 V

TPH3R70APL 100 90 3.7 6.2 67 21 74 4850 SOP Advance TPN1200APL     40   11.5   20   24   7.5   24   1425   TSON
Advance

  ［注１］2017年12月18日現在、同定格の製品において。当社調べ。
［注２］TPH3R70APLの場合、TPH4R10ANL (U-MOS VIII-H) と比べてオン抵抗×出力電荷量を10 %低減。
TPH3R70APLの場合、TPH4R10ANL (U-MOS VIII-H) と比べてオン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を10 %低減。

当社12V-300V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/lv-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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