東芝デバイス＆ストレージ(株)：第2世代650V耐圧SiCショットキバリアダイオードに表面実装パッケージ製品を追加

～サージ電流耐量と効率性能指数を同時に改善した当社第2世代チップを、初めて表面実装パッケージに搭載～

（東京）- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、シリコンカーバイド（SiC）を採用したショットキバリアダイオード(SBD)の新製品として、表面実装パッケージ6製品をラインアップに追加し、本日から量産出荷を開始します。

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東芝デバイス＆ストレージ(株): 第2世代650V耐圧SiCショットキバリアダイオードの表面実装パッケージ製品 （写真：ビジネスワイヤ）

当社はこれまでリード挿入パッケージのSiC SBD製品を量産、販売してきましたが、セットの小型化、薄型化実現という市場要求に応えるため、表面実装パッケージ(通称名：DPAK)を当社として初めて製品化しました。

新製品は、当社最新の第2世代チップを搭載しており、サージ電流耐量(IFSM)と効率性能指数(VF・Qc^[注])を同時に改善し、破壊しにくく低損失な特長を兼ね備えています。
低損失な本製品を採用することで、セットの効率向上、放熱設計の簡素化が図れます。

当社は今後もラインアップの充実を図り、通信機器、サーバ、インバータなどの高効率化、小型化の実現に貢献していきます。

[注] Qc：接合容量Cjの0.1V～400V間 総電荷量

新製品の主な特長

サージ電流耐量が高い ・・ 電流定格IF(DC)の約7～9.5倍を実現 性能指数VF・Qｃが小さい ・・ 第1世代品に対し約2/3化を達成し、高効率化を実現 表面実装パッケージ ・・ 実装工程自動化、セットの小型・薄型化に貢献 応用機器

高効率電源のPFC回路部を中心に民生から産業まで幅広く応用可能です。

最終セットへの応用
民生・OA用途： 4Ｋ大型スクリーン用液晶&OLED TV電源、プロジェクタ電源、複合複写機用電源など
産業用途 ： 通信基地局用電源、PCサーバ用電源、太陽光マイクロインバータなど 回路部への応用
力率改善回路(PFC)
マイクロインバータ回路
チョッパー回路(数百W以上の各種電源装置）
スイッチング素子のフリーホイールダイオード部   主要特性

パッケージ   項目名   絶対最大定格   電気的特性 直流
順電流   非繰り返し
ピーク
順電流

  許容
損失

  接合
温度

順電圧   効率
性能
指数

  接合
容量

  総
電荷量

記号 IF(DC) IFSM Ptot Tj VF VF・QC Cj QC 単位 (A)

(A)

(W) (℃)

(V) (V･nC)

(pF)

(nC)

値 最大 最大 最大 最大 － 標準 標準 標準 品名/条件

－ 正弦
半波
t=10ms

Tc=25℃ － IF =IF(DC) － VR=1V VR=400V 表面実装 DPAK

TO-252
相当

TRS2P65F 2 19 34.0 175 1.45 (標準)


1.60

(最大)

8.4 85 5.8 TRS3P65F 3 26 37.5 11.7 120 8.1 TRS4P65F 4 33 41.0 15.1 165 10.4 TRS6P65F 6 45 48.3 21.9 230 15.1 TRS8P65F 8 58 55.5 28.6 300 19.7   TRS10P65F   10   70   62.5       35.4   400   24.4   新製品を含む当社のSiCショットキバリアダイオード製品の詳細については下記WEBページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/diode/sic.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel：03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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