東芝デバイス＆ストレージ(株): アクティブクランプ構造を採用したリレー駆動用小型MOSFETの発売について

東芝デバイス＆ストレージ(株): アクティブクランプ構造を採用したリレー駆動用小型MOSFETの発売について

（東京）- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したアクティブクランプ構造を採用したMOSFET「SSM3K357R」を製品化し本日から量産、出荷を開始します。

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東芝デバイス＆ストレージ(株)： ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したアクティブクランプ構造を採用したMOSFET「SSM3K357R」 （写真：ビジネスワイヤ）

本製品により、誘導性負荷のインダクタンスから発生する逆起電力などの電圧サージから、ドライブ素子の破壊を防ぐことができます。

また、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。

業界標準のSOT-23クラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適応により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。

応用機器

・車載向け リレー、ソレノイド駆動用
・産業向け リレー、ソレノイド駆動用
・OA機器向け クラッチ駆動用

新製品の主な特長

・誘導負荷に強いアクティブクランプ構造
・3.0V低電圧動作
・AEC-Q101適合

  新製品の主な仕様

  項目 (Ta=25℃)

  特性 絶対最大定格   ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)

60 ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)

±12 ドレイン電流 ID (A)

0.65 電気的特性 ドレイン・ソース
間オン抵抗

RDS(ON) max (mΩ)

  |VGS|=3.0V 1200 |VGS|=5.0V 800 ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC)

1.5 入力容量 Ciss typ. (pF)

43 パッケージ   SOT-23F   2.9mm×2.4mm; t=0.8mm   当社の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
小信号デバイス営業推進部
Tel： 03-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

プレスリリース情報提供元：ビジネスワイヤ