ウィンボンド、超低電圧フラッシュメモリを発表

（SAN JOSE, Calif., & TAICHUNG, Taiwan）- 1.2V、1.5V超低電圧ファミリが追加されました。

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（ビジネスワイヤ） -- 半導体メモリソリューションの大手サプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクスは、この度、低電圧のSpiFlash®メモリを発表し、フラッシュ製品ポートフォリオを拡大いたしました。この新しいSpiFlashファミリは、NORフラッシュ業界最低電圧レベルである1.2V及び1.5V、8ピン小型パッケージで低消費電力を必要とするオーディオ、ウェアラブル、IoT、及び、様々な条件を要求するアプリケーションに向けたシリアルフラッシュメモリとして御提案します。また、この製品は、低電圧かつ52MB/秒という転送レートにより、民生用及び産業用アプリケーションにも適しています。 1.2V製品は、1.14V～1.3Vの動作電圧範囲をカバーしているため、超低消費電力設計に最適です。1.5V製品は、1.14V～1.6Vと広い動作電圧範囲を持ち、電池駆動機器の場合、電池電圧の低下にも幅広く対応でき、電池駆動の時間を長くすることが出来ます。 この新しい低電圧SpiFlashメモリは、スタンバイ電流とパワーダウン電流が低く、高クロック周波数での読み出し電流も低く、この低消費電力により、電池寿命の長い設計が可能になります。1.5Vメモリは、一般的な1.5V電池の動作電圧範囲を最大限に活用出来、電池電圧の初期状態から1.14Vまで全電圧範囲の動作サポートを可能にします。 市場調査会社、WebFeet Researchの社長、Alan Niebel氏は、「IoTは、2020年までに500億個の機器がつながるようになると言われており、末端機器の電池寿命を延ばすために、低消費電力シリアルNORフラッシュが必要となるだろう。」と語り、「ウィンボンドの1.2Vシリアル クワッドNORは、現行のNORフラッシュよりも省電力で、電池駆動やエナジーハーベスティング等のウェアラブル機器や産業機器、モバイル機器、ブルートゥース搭載 IoT関連製品に大変適しています。」 多くのシリアルフラッシュデバイスは、データ保存の他プログラムをDRAMに展開し実行するシャドーイングで使われます。この他に、XIP（Execute-In-Place）としてフラッシュからプログラムを直接実行するものがあります。この場合では、読み出しパフォーマンスが重要となります。 この低電圧SpiFlashメモリは、クワッドアクセスでの読み出し転送速度が可能でXIPが可能です。これは、既存の1.8Vおよび3.0Vシリアルフラッシュ製品の性能と同等です。 1.2Vおよび1.5Vに対応するすべてのチップセットに接続でき、52MB/秒の読み出し転送速度は、多くの民生用や産業用およびその他低消費電力アプリケーションで要求される性能を満たしています。 Espressif Systems社CEOのTeo Swee Ann氏は、「ウィンボンドの低消費電力シリアルフラッシュ製品は、IoTアプリケーションとスマート接続デバイスに対して、理想的な位置にいます。」と語り、「ウィンボンドの1.2Vシリアルフラッシュは既存の動作電圧の枠を拡げ、当社のWiFiとブルートゥースのコンボチップ製品ESP32の消費電力を更に軽減することができました。当社におけるテストは既に成功しており、一日も早くモジュールの形で市場に出したいと考えています。」とも述べています。 1.2V及び1.5V拡張SpiFlashメモリの特長： 低消費電力、拡張温度範囲 1.2Vファミリ:単一電源1.14V～1.3V 1.5Vファミリ: 単一電源1.14V～1.6V 2mAのアクティブ電流 <0.5μAパワーダウン電流 -40°C ～ +85°Cの動作温度 4KBセクタのフレキシブル アーキテクチャ 均等セクタ消去(4Kバイト) 均等ブロック消去（32K及び64Kバイト） 1～256バイトプログラム可能 消去/書き込みの中断及び再開 高性能シリアルフラッシュ シングル、デュアル、またはクワッド SPI及びQPI 104MHzクロック周波数 （52MB/秒の読み出し転送速度) 省スペースパッケージ 8ピンSOIC 150mil 8パッドUSON 2x3mm 8ボール WLCSP KGD 超低電圧SpiFlashメモリは、PCBの省スペース化に貢献します。大きなパワーマネジメントICに代えて、より小型の低ドロップアウト・レギュレータを使用することで、設計の低電圧化、PCB面積とBOMコストの削減が可能です。SpiFlashは超低待機電力のため、電池使用時間が延び製品自体の動作寿命が大幅に延ばす事ができます。さらに低電圧によりノイズレベルが低減し、よりコンパクトなPCB設計が可能になります。 「SpiFlashファミリを拡張して超低電圧シリアルフラッシュメモリを搭載することで、設計者は大幅に電力とBOMコストを削減するシステムの構築が可能です。」とウィンボンドアメリカ、フラッシュメモリマーケティングVPのJW Park氏は述べています。また「ウィンボンドは、1Mb～128Mbまでの共通フットプリントを提供しており、そこに1.2V及び1.5Vの低電圧ファミリも追加し幅広い製品ラインナップを構築しました。」 ウィンボンドのSpiFlashメモリは、台湾台中の12インチウェハ自社工場にて製造され、世界で増加する需要に対応しています。 本ファミリ初の製品となるW25Q80NE(8Mb、1.2V)は現在サンプル提供中で、2018年初旬に量産開始予定です。また、容量1Mb～128Mb、1.2Vの製品や、1.5Vの拡張製品も開発中です。これら製品に関しての詳細や価格については、ウィンボンド(SalesSupport@winbond.com)までお問い合わせください。 ウィンボンドについて ウィンボンドエレクトロニクスは、台湾台中に本社を置く、半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤです。ウィンボンドの主要製品には、スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、及びコードストレージフラッシュメモリなどがあり、2016年のメモリ事業収益は10億ドル以上です。ウィンボンドは台湾、香港、中国、日本、イスラエル、米国にオフィスを構えており、ワールドワイドでの従業員は約2,500人です。詳細についてはウェブサイトwww.winbond.comをご覧ください。 SpiFlashはウィンボンドエレクトロニクスコーポレーションの登録商標です。本記事に記載されいるその他の製品名は全て、識別目的としてのみ使用され、同社の商標または登録商標です。 businesswire.comでソースバージョンを見る：http://www.businesswire.com/news/home/20170710006536/ja/

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