東芝：実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品発売について

～外部NチャネルMOSFETのバック・トゥ・バック接続に対応したTCK42xGシリーズ～

（川崎）-（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、ウエアラブル端末など向けに、入力電圧に応じて外付けMOSFETのゲート電圧をコントロールする、過電圧防止機能を持ったMOSFETゲートドライバーIC「TCK42xGシリーズ」の販売を開始します。シリーズ第一弾として20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を本日から開始します。

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東芝：実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーIC「TCK421G」（画像：ビジネスワイヤ）

新製品TCK421Gは、バック・トゥ・バック接続の外付けNチャネルMOSFETと組み合わせて、逆流防止機能を備えたロードスイッチ回路やパワーマルチプレクサー回路を構成するのに適しています。また、2.7Vから28Vの幅広い入力電圧に応じたチャージポンプ回路を内蔵し、間欠動作で外付けMOSFETのゲート・ソース間に安定電圧を供給します。これにより、大きな電流のスイッチングが可能です。

パッケージは、業界最小クラス^[注1]のWCSP6G^[注2]を採用し、ウエアラブル端末、スマートフォンなどの小型機器に高密度実装が可能で、実装面積の削減に貢献します。

当社は今後もTCK42xGシリーズの開発を継続し、全6品種をシリーズに投入する予定です。TCK42xGシリーズでは、過電圧保護5Vから24Vの入力電圧に対応する予定です。ゲート出力電圧は外付けMOSFEETのゲート・ソース間電圧に応じて5.6Vと10Vの2種類を用意します。応用機器に合わせて過電圧保護機能、ゲート出力電圧の選択が可能になります。

[注1] MOSFETゲートドライバーICにおいて。2022年2月現在、当社調べ。
[注2] 1.2mm x 0.8mmのチップスケールパッケージ

応用機器

ウエアラブル端末スマートフォンノートブックPC、タブレットデバイスストレージ機器など新シリーズの主な特長

チャージポンプ回路を内蔵し入力電圧に応じたゲート・ソース電圧設定(5.6V、10V)過電圧保護は5V～24Vに対応低入力オフ電流 : IQ(OFF)= 0.5μA (max) @VIN=5V、Ta= －40～85°C新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

TCK421G

パッケージ

名称

WCSP6G

サイズ

(mm)

1.2×0.8 (typ.)、

t=0.35 (max)

動作範囲

入力動作電圧

VIN (V)

@Ta= －40～85°C

2.7～28

電気的特性

入力低電圧誤動作防止(UVLO)

しきい値電圧 VOUT下降時

VIN_UVLO typ./max (V)

maxは@Ta= －40～85°C

2.0/2.5

入力低電圧誤動作防止(UVLO)

ヒステリシス電圧

VIN_UVhyst typ. (V)

–

0.2

入力過電圧検出(OVLO)

しきい値電圧 VOUT下降時

VIN_OVLO min/max (V)

@Ta= －40～85°C

22.34/24.05

入力過電圧検出(OVLO)

ヒステリシス電圧

VIN_OVhyst typ. (V)

–

0.12

消費電流 (オン状態)^[注３]

IQ(ON) typ. (μA)

@VIN=5V

140

@VIN=12V

185

スタンバイ電流 (オフ状態)

IQ(OFF) max (μA)

@VIN=5V、 Ta= －40～85°C

0.5

@VIN=12V、 Ta= －40～85°C

0.9

ゲートドライブ電圧

(VGATE1-VIN)

(VGATE2-VIN)

VGS min/typ./max

(V)

@VIN=2.7V

8/9.2/10

@VIN=5V

9/10/11

@VIN=9V

9/10/11

@VIN=12V

9/10/11

@VIN=20V

9/10/11

VGSオン時間

tON typ. (ms)

@VIN=5V、 CGATE1,2=4000pF

2.9

VGSオフ時間

tOFF typ. (μs)

@VIN=5V、 CGATE1,2=4000pF

52

入力過電圧検出(OVLO)

VGSオフ時間

tOVP typ. (μs)

@CGATE1,2=4000pF

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[注３] コントロール端子電流 (ICT) は含まれていません。

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TCK421G
TCK42xGシリーズ

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TCK421G

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