東芝：産業用機器の高効率化・小型化に貢献するSiC MOSFETモジュールの発売について

東芝：産業用機器の高効率化・小型化に貢献するSiC MOSFETモジュールの発売について

（東京）-（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業用機器向けに新開発のシリコンカーバイト (SiC) MOSFETチップを搭載した電圧定格3300V、電流定格800AのDual SiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」を開発しました。2021年5月に量産を開始する予定です。

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鉄道車両向け電力変換装置、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化・小型化に貢献するSiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」（画像：ビジネスワイヤ）

新製品は、Ag焼結接合技術を適用した取り付け互換性の高いパッケージiXPLV (intelligent fleXible Package Low Voltage) を採用しました。これにより、チャネル温度定格175°Cを実現しました。
鉄道車両向けコンバーター、インバーターなどの電力変換装置、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献します。

応用機器

鉄道車両向けインバータ―・コンバーター再生可能エネルギー発電システム産業用モーター制御機器新製品の主な特長

ドレイン・ソース間電圧定格 : VDSS=3300Vドレイン電流定格 : ID=800A Dual高チャネル温度定格 : Tch=175°C低損失 :
Eon=250mJ (typ.)
Eoff=240mJ (typ.)
VDS(on)sense =1.6 V (typ.)低寄生インダクタンス : Ls=12 nH (typ.)高パワー密度の小型iXPLVパッケージ新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、@Tc=25 °C)

品番

MG800FXF2YMS3

パッケージ

iXPLV

絶対最大定格

ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)

3300

ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)

+25/－10

ドレイン電流 ID (A)

800

ドレイン電流 (パルス) IDP (A)

1600

チャネル温度 Tch (°C)

175

絶縁耐圧 Visol (Vrms)

6000

電気的特性

ドレイン・ソース間オン電圧(センス端子)

VDS(on)sense typ. (V)

@VGS= +20V、

ID=800A

1.6

ソース・ドレイン間オン電圧(センス端子)

VSD(on)sense typ. (V)

@VGS= +20V、

IS=800A

1.5

ソース・ドレイン間オフ電圧(センス端子)

VSD(off)sense typ. (V)

@VGS= －6V、

IS=800A

2.3

寄生インダクタンス LSPN typ. (nH)

12

ターンオンスイッチング損失

Eon typ. (mJ)

@VDD=1800V、

ID=800A、

Tch=150°C

250

ターンオフスイッチング損失

Eoff typ. (mJ)

@VDD=1800V、

ID=800A、

Tch=150°C

240

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
MG800FXF2YMS3
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=MG800FXF2YMS3

東芝のSiCパワーデバイスについては下記ページをご覧ください。
SiCパワーデバイス
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/product/sic-power-devices.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： 03-3457-3416
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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連絡先
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

プレスリリース情報提供元：ビジネスワイヤ