トランスフォームのSuperGaN Gen V FETが電気自動車アプリケーションを対象に世界最低のパッケージオン抵抗を実現

トランスフォームと戦略的パートナーのマレリは、急成長中のEV電力変換市場に浸透する態勢にある

（米カリフォルニア州ゴリータ）-（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアでグローバルサプライヤーのトランスフォーム（OTCQB：TGAN）は本日、当社独自のSuperGaN^TMブランドとして初のGen Vデバイスのサンプル出荷を発表しました。トランスフォームの新しいGen VデバイスTP65H015G5WSは、電気自動車（EV）市場に狙いを定めており、SuperGaNデバイスファミリー固有の業界有数の性能強化、設計の容易さ、最適化されたコスト構造を実現します。とりわけ、当社のGen V GaNソリューションは、標準のTO-247-3パッケージで世界最低のパッケージオン抵抗に加え、炭化ケイ素（SiC）より25%低い電力損失を実現し、EV電力変換市場におけるGaNの可能性を高めています。

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TO-247パッケージにてトランスフォームが提供する最低Rds(on)のSuperGaN™ FETはEV市場での成長に備える。（画像：ビジネスワイヤ）

2020年3月、自動車分野での独立グローバルサプライヤーとして世界有数の企業の1つであるマレリは、トランスフォームとの戦略的提携を発表しました。電気自動車／ハイブリッド車向けの車載充電器（OBC）、DC-DCコンバーター、パワートレインインバーターなど、新しいGaNベースの車載／EV電力変換ソリューションで協業することが目的です。現在までに、マレリはトランスフォームに400万ドルの株式投資を行い、さらに100万ドルの株式投資を2021年第1四半期に行うと約束しました。

マレリのパワートレイン部門最高経営責任者（CEO）を務めるジョアキム・フェッツァー博士は、次のようにコメントしています。「ブリッジ構成でディスクリートパッケージ化されたGaNデバイスから10キロワットの出力を達成するというトランスフォームのデモは、電気自動車向けのコンバーターおよびインバーターに対してGaNが約束する素晴らしさをさらに確認できるものです。当社が先に発表した提携の一環として、私たちは今後もトランスフォームの業界有数のGaNデバイスを評価し、複数年に及ぶEVシステム製品ロードマップを協力して支えていきます。」

トランスフォームの共同設立者で最高執行責任者（COO）のプリミット・パリクは、次のように述べています。「私たちはトランスフォームのSuperGaN FET技術の革新を続けており、今では電気自動車やその他の高出力電力変換アプリケーションを対象とした市場で、標準のTO-247-3パッケージで世界最低のオン抵抗を実現しています。これによりお客さまはシングルデバイスで2桁のキロワットまで駆動でき、性能向上、システムコストの削減、電力密度の向上を実現するGaNの能力が一貫して実証されています。当社のGenV GaNプラットフォームは、以前は並列化が必要だった出力レベルの新たな設計機会を生み出しながらも、99%超の効率を実現しています。」

トランスフォームのSuperGaN™技術は炭化ケイ素を凌ぐ性能

SuperGaN Gen Vプラットフォームは、先行するGen IVから学んだ知見すべて、特許取得済みのパッケージインダクタンス低減技術、設計の容易さと駆動性（ノイズ耐性のための4 VというVth）、+/- 20 Vmaxのゲート堅牢性に加え、簡素化・縮小した組み立て構造を取り入れています。EEWorldに掲載された最近の記事「高電圧GaN電力変換の限界を押し広げる」で、当社のTP65H015G5WSが標準のTO-247-3パッケージにて同様のオン抵抗の最先端SiC MOSFETと比較されました。これらのデバイスをいずれもハーフブリッジ同期ブーストコンバーターで70kHzにて最大12kWまで動作させた結果、トランスフォームのGaNデバイスは電力損失の最大25%の低減を実証しました。

トランスフォームは、15mΩ 650VデバイスであるSuperGaN Gen V FETのサンプル出荷を開始しました。これは、ゲート感度ゆえに今日のシングルチップeモードGaN技術では達成できない性能です。このソリューションはディスクリートパッケージでの一般的なSiC MOSFETで達成可能な最低のR値に匹敵するもので、EV OBCやパワートレインインバーター、ラック電源データセンターサーバー向けの電源、産業用の無停電電源アプリケーション、再生可能太陽光発電向けインバーターなど、対象アプリケーションに応じて10kW以上を駆動できます。またTP65H015G5WSは、さらに高出力の電源向けにさらに並列化できるダイレベルモジュールソリューションにも使用できます。当社は、Gen V FETデバイスが2021年半ばにJEDEC認定を取得し、その後AEC-Q101認定を取得できると見込んでいます。

マレリについて

マレリは、自動車分野での独立グローバルサプライヤーとして世界有数の企業の1つです。革新と製造の卓越性において世間に認められた確かな実績を持つ当社の使命は、お客さまや提携先との協力を通じてモビリティーの未来を変革し、より安全で環境配慮性が高く、つながりが向上した世界を生み出すことです。世界中に約6万人の従業員を擁するマレリのフットプリントには、アジア、アメリカ大陸、欧州、アフリカにおける170カ所の施設とR&Dセンターがあり、2019年に134億ユーロ（1兆5410億円）の売上高を上げています。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）で当社をフォローしてください。

SuperGaNの商標はトランスフォームの登録商標です。その他の商標は各所有者の財産です。

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