東芝:電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFETの発売について
配信日時: 2020-10-19 14:00:00
東芝:電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFETの発売について
(東京)-(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、産業機器や大容量電源など向けに、シリコンカーバイド(SiC)を使用した1200V耐圧のMOSFET「TW070J120B」を製品化し、本日から出荷を開始します。
本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。:https://www.businesswire.com/news/home/20201018005076/ja/
東芝:シリコンカーバイド(SiC)を使用した1200V耐圧のMOSFET「TW070J120B」 (画像:ビジネスワイヤ)
新材料のSiCを使用したパワーMOSFETは、従来のシリコン(Si)MOSFETやIGBT製品と比べて高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。
新製品は、SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第2世代チップデザイン[注1]を採用しており、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しました。
1200V耐圧Si絶縁ゲート型バイポーラートランジスター(IGBT) の当社従来製品「GT40QR21」と比べて[注2]、ターンオフスイッチング損失を約80%、スイッチング時間(下降時間)を約70%低減するとともに、20A以下のドレイン電流で低オン電圧特性を有しています。
また、ゲートしきい値電圧を4.2V~5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)しにくくなっています。さらに、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したことで、電力損失を低減します。
産業機器向け大容量AC-DCコンバーター、太陽光インバーター、大容量双方向DC-DCコンバーターなど電力機器の高効率化(電力損失低減)と小型化に貢献します。
[注1]当社ニュースリリース「SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発」(2020年7月30日)
[注2]周囲温度25℃
応用機器
大容量AC-DCコンバーター太陽光インバーター大容量双方向DC-DCコンバーター新製品の主な特長
第2世代 チップデザイン(SiC SBD内蔵)高耐圧、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低オン抵抗、低順方向電圧(ダイオード)、高ゲートしきい値電圧: VDSS=1200V、Ciss=1680pF(typ.)、Qg=67nC(typ.)、RDS(ON)=70mΩ(typ.)、VDSF=-1.35V(typ.)、Vth=4.2~5.8V
取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、@Ta=25℃)
品番
パッケージ
絶対最大定格
電気的特性
在庫検索&Web少量購入
ドレイン・
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
@Tc=25℃
(A)
ドレイン・
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
typ.
@VGS=20V
(mΩ)
ゲート
しきい値電圧
Vth
@VDS=10V、
ID=20mA
(V)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
入力容量 Ciss
typ. (pF)
順方向
電圧
(ダイオード)
VDSF
typ.
@IDR=10A、
VGS=-5V
(V)
TW070J120B
TO-3P(N)
1200
36.0
70
4.2~5.8
67
1680
-1.35
Buy Online
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW070J120B
オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW070J120B.html
当社、SiC MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfets.html
シリコンカーバイド(SiC)を使用したパワーデバイスの情報をWebで公開しています。ぜひご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/product/sic-power-devices.html
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連絡先
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
プレスリリース情報提供元:ビジネスワイヤ
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