限界を迎える平面型NANDフラッシュメモリの製造プロセス縮小

あるAnonymous Coward 曰く、　さまざまなデバイスに使われているNAND型フラッシュメモリだが、平面構造での微細化は限界を迎えたという話が出ている（COMPUTERWORLD、Slashdot）。

　日本語での解説としては微細化に見切りをつけて3次元化するフラッシュメモリという記事が詳しいが、現在実用化されている15～16nmプロセスよりもさらに縮小された製造プロセスは「性能の向上と経済的な利益をもたらさない」という。そのため、東芝やサンディスク、Intel、Micronなどは今後、セルを立体的に積み上げていく技術や「3D ReRAM」といった分野に開発リソースを振り分けることになる。

　先日、インテル・マイクロン連合は新型メモリの発表、東芝とサンディスクも48層積層プロセスを用いた256ギガビット3次元フラッシュメモリの発表を行っている。

　なお、従来の平面型NANDフラッシュメモリも小容量分野の需要がある以上、引き続き製造は行われるだろうとしている。

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