トランジスターの理論限界を突破する半導体製造技術

　ある Anonymous Coward 曰く、

　JST と北大の研究者らは半導体中のトンネル効果を用いることで従来のトランジスターの理論限界を大きく下回る低消費電力トランジスターの開発に成功した (JST のプレスリリース、マイナビニュースの記事より) 。

　LSI や CPU などで使用されている半導体集積回路は加工技術を微細化してチップのサイズを縮小することにより、高性能化、低消費電力化、低コスト化を実現してきたが、リーク電流が出ることとサブスレッショルド係数 (室温で 60 mV/桁) に理論的な限界があることから、近いうちに性能向上の限界が近いと見られていた。今回の研究では半導体結晶成長技術を用いてシリコンと化合物半導体のナノ接合を作ることにより、新しい界面を形成し、この界面にできる障壁を電子が量子的に通り抜けるトンネル効果を用いた。これにより、世界最小クラスとなるサブスレッショルド係数 21 mV/桁 を達成したという。

　この素子はあらゆる電子機器の省エネルギー技術へ応用でき、現在の半導体集積回路に比べて消費電力を 1/10 以下に低減できるとしている。

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