東北大、PRAM の消費電力を抑える新素材を開発

　ある Anonymous Coward 曰く、

　東北大学の須藤祐司准教授らが、次世代型メモリーとして期待されている PRAM (相変化メモリー) を実現するうえで大きな課題である消費電力を抑えるのに有望な新素材を開発したとのことだ (日本経済新聞の記事)。

　研究が進んでいるゲルマニウム、アンチモン、テルルでできた相変化素材 (GST) では、書き換え時にセ氏約 620 度に加熱する必要があり、消費電力が大きな課題だったが、今回開発された素材は、ゲルマニウム、銅、テルルでできており、GST に比べて約 100 度低いセ氏 520 度程度でアモルファスに変化し、情報を書き込むときの電力消費を抑えられるという。また、GST はアモルファス状態の耐熱性が低く、セ氏 85 度程度の環境に長時間さらされると結晶に戻ってしまい情報が消える欠点があったが、新素材ではセ氏 170 度の環境でも 10 年間情報を保存できる性能があることを確認したとのことである。

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