研究開発が進む次世代不揮発メモリ「スピン注入メモリ」

　 hylom 曰く、

　最近、「スピン注入メモリ」と呼ばれるタイプの不揮発性メモリの研究開発が進んでいるそうだ (PC Watchの 記事) 。

　スピン注入メモリ (STT-RAM) は「電子のスピンによって生じる磁界を利用して磁化の方向を変更することで、データを書き込む」というメモリデバイスで、電源を切ってもデータが消えず、また書き込みと読み出しが DRAM と同等以上と高速なのが特徴。

　半導体デバイス関連の国際学会「IEDM 2010」(2010 IEEE International Electron Devices Meeting) では、この STT-RAM に関する研究成果が相次いで発表されたそうで、米ベンチャー Grandis が韓 Hynix と共同で 64 Mbit の STT-RAM チップを発表したほか、Samsung Electronics や IBM も発表を行ったという。日経 Tech-On! の記事によると、今回 Hynix が発表した 64 Mbit の STT-RAM チップは動作電が 1.8 V、読み出しアクセス時間は実測で 25 ns と、DRAM に近い性能を達成できるそうだ。

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