トランスフォームが数キロワットレベルのアプリケーション向けにGaNパワーデバイスを50万個以上出荷

当社製品の採用増加に伴い、当社GaNプラットフォームのフィールド信頼性が向上

（米カリフォルニア州ゴリータ）-（ビジネスワイヤ）-- JEDECおよびAEC-Q101に初めて準拠した最高の信頼性の650 V窒化ガリウム（GaN）半導体の設計・製造をリードするトランスフォームは、高電圧GaN FETの出荷数が50万個を上回ったと発表しました。当社がこの大台を達成できたのは、顧客が一貫して当社の高品質・高信頼性GaNプラットフォームを採用しているためです。

高電圧GaN の採用

産業、インフラストラクチャー、IT、PCゲームの広範な市場の顧客が、トランスフォームのGaN技術を利用したデバイスを生産中であると公表しています。これは魅力的な市場になると予測されているGaNソリューションに対して、信頼が高まっていることを示す例です。

事実、Informa Tech傘下の産業アナリスト企業IHS Markit Technologyは、2028年までにGaNを用いたパワーディスクリート、モジュール、システムICの総売上高が12億ドルに達すると見込んでいます。そうした売上高の約7億5000万ドル（市場全体のほぼ3分の2）は、高電圧GaNソリューションによって後押しされる見通しです¹。

トランスフォームの共同設立者で最高執行責任者（COO）のプリミット・パリクは、次のように述べています。「当社は、業界で2チップのノーマリーオフ型デバイスよりシングルチップのノーマリーオフ型シリコンMOSFETの方が知られていた時に、最も堅牢な2チップのノーマリーオフ型デバイスで市場参入しました。当社の広く知られた勢いが証明しているように、またパワー・インテグレーションズのような消費向けアダプター分野で定評あるその他のメーカーが弾みを付けていることでも同様に、現在の高電圧GaN FET設計で最も実用的なのは、2チップのノーマリーオフ型GaNソリューションです。実際、トランスフォームのGaNはこの設計のおかげで、高性能と優れた堅牢性を発揮しており、これまでに50億時間以上分（FIT率は2.0未満）のフィールド信頼性データにつながっています。」

トランスフォーム製品が首尾よく採用され続けているのは、当社製品の品質と信頼性（Q+R）に大きく依存しています。このQ+Rは、当社の堅牢なノーマリーオフ型GaNプラットフォーム、エピタキシャルプロセスの強力な制御、製造能力によって支えられており、消費者向けアダプターから車載向けまで、さまざまな業界横断型市場の生産量と品質の要件に対応できる有利な立場にあります。これらの要素が重なって、当社は比類なき信頼性、設計容易性、駆動性、再現性をもたらすGaN FETを生産することができます。

トランスフォームの世界技術マーケティング・北米販売担当バイスプレジデントのPhilip Zukは、次のように述べています。「当社はGaNが対象とする高出力分野の中核的市場での成功を受けて、消費者向けアダプターやセットトップボックスなど、シリコンを十分に活用できていない急成長市場の顧客とも協力を進めています。当社がこれまで出荷してきた製品の大半は、高出力分野のアプリケーションを対象としていました。それらの50万個以上の650V FETは、より低出力（100ワット未満）のFETに換算すると400万個以上に相当し、当社の量産能力を実証しています。 」

フィールド信頼性

トランスフォームは1年前、高電圧GaNパワー半導体に関する初の包括的な検証データセットを発表しました。当社は本日、最新のフィールド信頼性データを正式に発表しました。トランスフォームのGaN技術は、実環境で50億時間以上の稼働実績があり、現在のFIT率は2.0未満、年間PPMは19.8未満となっています。デバイスの品質および信頼性に関する詳細は、当社のQ+Rウェブページをご覧ください。

GaN革命へようこそ！

トランスフォームは、高圧電力変換用途向けに最高の性能と信頼性を備えた650Vおよび900V GaN半導体の設計・製造を行っています。最大規模のIPポートフォリオ（交付済み・申請中の特許は世界で1000件超）を持つトランスフォームは、業界初のJEDECおよびAEC-Q101準拠GaN FETを生産しています。これは、設計・製作からデバイス、応用サポートに至るまであらゆる段階でイノベーションを可能にする垂直統合ビジネスアプローチによるものです。ウェブサイト：www.transphormusa.com ツイッター：@transphormusa

¹ SiC & GaNパワー半導体報告書、IHS Markit、2019年5月

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