2021-05-13 15:30:00

キオクシア:横浜テクノロジーキャンパス技術開発新棟と新子安研究拠点の新設について

プレスリリース発表元企業:Kioxia Corporation
キオクシア:横浜テクノロジーキャンパス技術開発新棟と新子安研究拠点の新設について

~拠点集結によりオープンイノベーションを促進し、革新的な技術・製品の創出へ~

(東京)-(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、フラッシュメモリ、SSDの研究・技術開発を強化し、新たな価値を提供する「記憶」技術の創造を目指し、横浜テクノロジーキャンパス(横浜市栄区)に技術開発新棟(仮称)を建設し、横浜市神奈川区にクリーンルームを備えた研究開発拠点(新子安研究拠点(仮称))を新設します。技術開発新棟の建設と新子安研究拠点の整備で約200億円を投資し、稼働は2023年の予定です。両施設の稼働に伴い、横浜市・川崎市内に分散していた部門を集結させ、効率を高め、コラボレーションの活性化によるイノベーションの創出につながる働きやすい環境を整備することで、研究・技術開発を強化します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。:https://www.businesswire.com/news/home/20210512006109/ja/

横浜テクノロジーキャンパス 技術開発新棟の完成イメージ図 (画像:ビジネスワイヤ)横浜テクノロジーキャンパス 技術開発新棟の完成イメージ図 (画像:ビジネスワイヤ)

横浜テクノロジーキャンパスでは、技術開発新棟の建設により、スペースを約2倍に拡張します。製品評価機能をさらに拡充することで、品質力の強化を図るほか、将来の人員増強にも対応し製品開発を強化します。また、技術開発新棟は高効率な省エネルギー設備を備えた環境に配慮した設計を採用します。

新子安研究拠点では、先端研究用のクリーンルームを構築し、材料や新プロセスを中心とした幅広い研究に取り組みます。

両施設への投資を通じて、今後も市場成長が見込まれるフラッシュメモリ、SSDの研究・技術開発を強化するとともに、新規メモリをはじめとする革新的な技術・製品の創出を目指します。

当社は、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、「メモリ技術」のイノベーションで新しい時代を切り拓くことを目指し、市場動向にあわせたタイムリーな設備投資や研究開発など、メモリ・SSD事業の競争力強化に向けた取り組みを積極的に展開してまいります。

横浜テクノロジーキャンパス 技術開発新棟(仮称)
所在地:横浜市栄区笠間2丁目
建物規模:6階建て
延床面積:約40,000m2
着工予定:2021年秋
竣工予定:2023年夏

新子安研究拠点(仮称)
所在地:横浜市神奈川区守屋町3丁目
建物規模:4階建て
延床面積:約13,000m2
稼働予定:2023年夏



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連絡先
本資料に関するお問い合わせ先:
キオクシアホールディングス株式会社
広報部
山路 航太
Tel: 03-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

プレスリリース情報提供元:ビジネスワイヤ

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