東芝、最先端プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリを量産開始
2013年5月21日 18:49
東芝は21日、19nm第二世代プロセスを用いた2ビット／セルの64ギガビット（8ギガバイト）のNAND型フラッシュメモリを開発し、今月から量産を開始すると発表した。
新製品は19nm第二世代プロセスを採用するとともに、周辺回路の工夫により、2ビット／セルの64ギガビットのNAND型フラッシュメモリとしては世界最小の94平方ミリメートルというチップサイズを達成した。また、東芝独自の高速書き込み回路方式により、2ビット／セル製品としては世界最速クラスの25メガバイト／秒の書き込み速度を実現する。
また、東芝は、同プロセスを採用した3ビット／セル製品の開発も行っており、2013年度第2四半期に量産を開始する予定。eMMC対応のコントローラを新開発することで、スマートフォンやタブレットなどにも3ビット／セル製品を展開していく予定。また、SSDへの対応も今後進めることで、ノートPCなどへの搭載も目指す。