3 次元 DRAM「Hybrid Memory Cube」の仕様策定
2013年4月5日 11:50
ymitsu 曰く、
DRAM の構造を 3 次元化して高速化する技術「ハイブリッド・メモリ・キューブ」(Hybrid Memory Cube: HMC) の策定に携わっているハイブリッド・メモリ・キューブ・コンソーシアムが、HMC の最終的な仕様が確定したことを、コンソーシアムを主導する DRAM 大手 3 社 Micron、Samsung、Hynix の連名でアナウンスした (Computerworld の記事、本家 /. 記事より) 。
HMC に関してはこちらの福田昭氏の記事に詳しいが、コントローラの上にメモリを積層して高速化する技術である。コンソーシアムのアナウンスによると、バンド幅にして 160 GB/s、一般的な DRAM の 15 倍以上のスループットを得られるとのことで、「DDR3 と DDR4 の直面する全ての問題を解決する」としている。
実際の製品は 2013 年の第二半期より登場するとのこと。
スラッシュドットのコメントを読む | ハードウェアセクション | ハードウェア
関連ストーリー:
台湾Nanya Technology(ELIXIR)が汎用DRAM事業から撤退 2012年09月10日
Apple、エルピーダに対し大量のDRAMを発注 2012年05月17日
エルピーダ、25 nm プロセスの DRAM を量産へ 2011年05月10日